探測器產品及廠家
器件類型 ingaas apd；工作波長 950～1650nm；陣列規(guī)模 4x4；像元大小 100μm x 100μm；光敏面大小 85μm x 85μm；石英光窗；探測效率 ≥10% (1.57+0.05μm)
更新時間:2025-05-14
探測器類型 ingaas；光譜相應 1510-1590nm；帶寬 dc-100m；響應度 0.95@1550nm；外形尺寸 120*100*25mm
更新時間:2025-05-14
光譜響應范圍 450-2700nm，光敏面直徑 2mm，響應度 1.0a/w @2.2um，ingaas銦鎵砷探測器，封裝規(guī)格 to-5
更新時間:2025-05-14
光敏面直徑 16mm；直流響應度 0.3a/w； 光敏材料 si； 擊穿電壓 200v
更新時間:2025-05-14
8mm光敏面直徑，響應波段：400-1100nm，si基材料 響應速度：＜25ns，to8封裝
更新時間:2025-05-14
4mm光敏面，法蘭式結構，響應波段：400-1100nm，si基材料 響應速度：＜2ns，to8封裝
更新時間:2025-05-14
200um光敏面直徑,法蘭式結構，響應波段：400-1100nm，si基材料 響應速度：＜2ns
更新時間:2025-05-14
200um光敏面直徑,單模光纖耦合，響應波段：400-1100nm，si基材料 響應速度：＜2ns，fc/apc接頭
更新時間:2025-05-14
2mm直徑光敏面，響應波段：400-1100nm，si基材料 響應速度：＜8ns，to5封裝
更新時間:2025-05-14
輸入電壓±9vdc, 100ma 探頭silicon pin 感光面3.6mm * 3.6mm 波長320-1100nm 峰值響應0.6 a/w @960nm,1 mv/nw @960nm 飽和光功率6uw @960nm(hi-z) 帶寬dc - 200khz
更新時間:2025-05-14
工作波長400~1100nm 帶寬100mhz 探測器型號: si硅 探測器響應度 0.55@850nm
更新時間:2025-05-14
峰值波長λp：3.35μm 截止波長λc：3.65μm 光靈敏度：1.0a/w 峰值探測率d*：4.5 × 109（cm·hz1/2/w） nep：1.5 × 10-11（w/hz1/2） to-5封裝
更新時間:2025-05-14
響應波長范圍 2-5.5μm；峰值波長 2.9μm；相對響應強度 ≥5×10^11 cm∙hz^(1/2)/w@2.9μm；光敏面積 1×1mm^2
更新時間:2025-05-14
響應波長范圍 800-1800nm；響應度 0.95 a/w；有效面積 10 mm x 10 mm；材料 ge
更新時間:2025-05-14
材料：ingaas 上升／下降時間：＜１７５pｓ／＜１７５ｐｓ； 響應度：０.９ａ／ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞２ｇｈｚ； 有效面積直徑：１００ｕｍ； 輸出連接：bnc
更新時間:2025-05-14
材料：ingaas 上升／下降時間：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ； 響應度：0.9ａ／ｗ＠２０００ｎｍ； 帶寬：＞１０ｇｈｚ； 有效面積直徑：４０ｕｍ； 輸出連接：ｓｍａ 光纖連接,fc/upc
更新時間:2025-05-14
材料：ingaas 上升／下降時間：＜16pｓ／＜16ｐｓ； 響應度：０.7ａ／ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞22ｇｈｚ； 有效面積直徑：20ｕｍ； 輸出連接：ｓｍａ 光纖連接 fc/upc、smf28e
更新時間:2025-05-14
材料：ingaas 上升／下降時間：＜16pｓ／＜16ｐｓ； 響應度：０.7ａ／ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞22ｇｈｚ； 有效面積直徑：20ｕｍ； 輸出連接：ｓｍａ 光纖連接 不適用
更新時間:2025-05-14
材料：ingaas 上升／下降時間：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ； 響應度：０.６５ａ／ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞１５ｇｈｚ； 有效面積直徑：３２ｕｍ； 輸出連接：ｓｍａ 光纖連接 fc/upc,smf28e
更新時間:2025-05-14
響應超過20ghz的超快中紅外光電探測器 頻率響應范圍 (-3 db): 直流到 20 ghz 敏感波長峰值: 4.65 μm 光敏性: 1 ma/w (典型值) 無需冷卻，無需偏置操作
更新時間:2025-05-14
工作波長范圍 1000-1650nm；電壓響應度 2 mv/w；-3db帶寬 2mhz；飽和輸入光功率 -30dbm
更新時間:2025-05-14
koheron pd100b是一款增益為39kv/a、帶寬為100mhz、共模抑制比為35db的放大平衡探測器。pd100b有交流和直流耦合版本，可安裝ingaas光電二極管或不安裝光電二極管，是光學相干層析成像和激光探測等應用的理想選擇。
更新時間:2025-05-14
該bd系統(tǒng)配備了電子混合路徑，用于控制信號的解調和誤差信號的生成，以鎖定壓縮真空態(tài)和bd本地振蕩器的相對相位。通過這種方式，能夠實現(xiàn)長時間測量并穩(wěn)定控制壓縮量子噪聲。調制/解調頻率通常設定在1 mhz到80 mhz之間，具體根據(jù)客戶需求。
更新時間:2025-05-14
北京、沈陽、濟南、成都、西安、廣州、武漢、青島專區(qū)saf200型便攜式單一氣體探測器(以下簡稱探測器)，是一種可連續(xù)檢測可燃氣體濃度或者有毒氣體濃度的本質安全型設備。
更新時間:2025-05-14
•常溫調制型：探測器室設計標準安裝尺寸，可與衡工儀器的相關產品配套使用，帶前置放大器：等效輸入噪聲：≤1μv輸入阻抗：≥3mω工作頻率：20hz≤f≤100khz輸入信號：30mv放大倍數(shù)：50
更新時間:2025-05-13
dpe12 熱釋電探測器為常溫型中遠紅外探測器，內置前置放大器，建議配合鎖相放大器使用，推薦使用 sr830 型或 dcs500pa 型；
更新時間:2025-05-13
光電倍增管探測器 pmth-s1-(x)系列側窗型光電倍增管 主要特點：側窗式，具有電、磁、光屏蔽 可與我公司生產的光譜儀系列、樣品室等匹配連接 通過標準bnc插頭輸出信號 通過專用耐高壓bnc插頭輸入穩(wěn)定高壓
更新時間:2025-05-13
硅光電探測器dsi系列 硅光電探測器（si）———室溫型探測器，波長范圍：200-1100nm 兩種型號的探測器室的外觀相同，其中：dsi200型內裝進口紫敏硅光電探測器dsi300型內裝國產低暗電流硅光電探測器 推薦配合i-v放大器（型號：zamp）使用
更新時間:2025-05-13
銦鎵砷探測器dingaas系列 常溫型銦鎵砷探測器（ingaas）———常溫型近紅外探測器，波長范圍：0.8-1.7μm 三種常溫型銦鎵砷探測器dingaas1600/ dingaas1650/ dingaas1700具有相同的外觀設計
更新時間:2025-05-13
硫化鉛探測器 硫化鉛探測器（pbs）———常溫型紅外探測器,波長范圍：0.8-3.2μmdpbs2900/3200兩種型號，兩種探測器室的外觀相同（內帶前置放大器）
更新時間:2025-05-13
砷化銦探測器--inas系列 ：砷化銦探測器（inas）———近紅外探測器 波長范圍：1-3.8μm dinas3800和dinas3800-te兩種型號，其中：◆ dinas3800內裝進口常溫型探測元件；dinas3800-te內裝進口te制冷型探測元件。
更新時間:2025-05-13
銻化銦探測器（insb）———液氮制冷型紅外探測器，波長范圍：1～5.5μm有dinsb5-de(x)和dinsb5-hs兩種類型，其中： dinsb5-de(x)為液氮制冷型，x-01/ 02/ 04/ 07，四種光敏面尺寸可選，適合一般測量，須選配前置放大器 dinsb5-hs為液氮制冷高速響應型，集成前置放大器，響應時間小于25ns
更新時間:2025-05-13
碲鎘汞探測器（hgcdte） ———液氮制冷型紅外探測器，波長范圍：2~22μm。 有dmct(x)-de和 dmct11-hs兩種類型，其中：dmct(x)-de為液氮制冷型，x-12/ 14/ 16/ 22，四種截止波長可選，適合一般測量，須選配前置放大器；dmct12-hs為液氮制冷高速響應型，集成前置放大器，響應時間小于50ns；探測器元件均封裝于dec-(x)系列探測器室內，用于與光譜儀狹縫連接。
更新時間:2025-05-13
運輸費按物流公司實際運費為準 本汽車駕駛簡易練習器供初學者練習使用.利用仿真標準艙,可調式座椅,穩(wěn)壓電源;結合現(xiàn)代化電光.模擬實車駕駛操縱機構,led實時顯示各機構的工作狀態(tài)
更新時間:2025-05-13
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