其他產(chǎn)品及廠家
pcie總線的層次組成結(jié)構(gòu)與網(wǎng)絡(luò)中的層次結(jié)構(gòu)有類似之處，但是pcie總線的各個(gè)層次都是使用硬件邏輯實(shí)現(xiàn)的。在pcie體系結(jié)構(gòu)中，數(shù)據(jù)報(bào)文先在設(shè)備的核心層(device core)中產(chǎn)生，然后再經(jīng)過(guò)該設(shè)備的事務(wù)層(transactionlayer)、數(shù)據(jù)鏈路層(data link layer)和物理層(physical layer)，終發(fā)送出去。
更新時(shí)間:2025-05-13
pcie2.0 3.0 rx 接收 物理層致性測(cè)試當(dāng)pcie設(shè)備進(jìn)入休眠狀態(tài)，主電源已經(jīng)停止供電時(shí)，pcie設(shè)備使用該信號(hào)向處理器系統(tǒng)提交喚醒請(qǐng)求，使處理器系統(tǒng)重新為該pcie設(shè)備提供主電源vcc。
更新時(shí)間:2025-05-13
pcie 初始化完成后會(huì)進(jìn)入l0狀態(tài)。異常狀態(tài)見(jiàn)pcie link 異常log。物理層link 不穩(wěn)定，懷疑以下原因：- 高速串行信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題- serdes電源問(wèn)題- 時(shí)鐘問(wèn)題
更新時(shí)間:2025-05-13
pcie2.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試集成電路的發(fā)明是人類歷史上的大創(chuàng)舉，它大地推動(dòng)了人類的現(xiàn)代文明進(jìn)程，在天無(wú)時(shí)無(wú)刻不在影響著我們的生活。進(jìn)入 21 世紀(jì)以來(lái)，集成電路的發(fā)展則更是狂飆猛進(jìn)。天的大規(guī)模集成電路生產(chǎn)和制造工藝已經(jīng)達(dá)到 10 nm 量產(chǎn)水平，更高的集成度意味著同等體積下提供了更高的性能，當(dāng)然對(duì)業(yè)內(nèi)從業(yè)者來(lái)說(shuō)遇到的挑戰(zhàn)和問(wèn)題也就越來(lái)越嚴(yán)峻。
更新時(shí)間:2025-05-13
pcie2.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試在個(gè)處理器系統(tǒng)中，般提供×16的pcie插槽，并使用petp0~15、petn0~15和perp0~15、pern0~15共64根信號(hào)線組成32對(duì)差分信號(hào)，其中16對(duì)petxx信號(hào)用于發(fā)送鏈路，另外16對(duì)perxx信號(hào)用于接收鏈路。除此之外pcie總線還使用了下列輔助信號(hào)。
更新時(shí)間:2025-05-13
pcie1.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試日益降低的信號(hào)幅度必將帶來(lái)信噪比(snr)的挑戰(zhàn)，也即隨著信號(hào)幅度越來(lái)越低，對(duì)整個(gè) 電路系統(tǒng)的噪聲要求也越來(lái)越嚴(yán)格。尤其是在近 3 年來(lái)越來(lái)越熱的pam 調(diào)制，比如廣泛用于 200g/400g 傳輸?shù)?pam-4 技術(shù)，由于采用 4 電平調(diào)制，其對(duì)信噪比的要求比采用nrz 編碼的信噪比要高 9db.
更新時(shí)間:2025-05-13
pcie1.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試ci總線定義了兩類配置請(qǐng)求，個(gè)是type00h配置請(qǐng)求，另個(gè)是type 01h配置請(qǐng)求。
更新時(shí)間:2025-05-13
pcie1.0x16 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試電子產(chǎn)品發(fā)展到當(dāng)?shù)臅r(shí)代，工程界已經(jīng)積累了很多實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，再搭上互聯(lián)網(wǎng)大力 發(fā)展的快車，每位工程師都可以很輕松地從其他人的工程經(jīng)驗(yàn)分享中獲得很多有價(jià)值和 有助于自己設(shè)計(jì)的經(jīng)驗(yàn)，但是經(jīng)驗(yàn)并不是金科玉律，也不是都適合工程師特殊的設(shè)計(jì)需求。
更新時(shí)間:2025-05-13
pcie3.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試下面是個(gè) ddr3 設(shè)計(jì)的實(shí)際案例。按照傳統(tǒng)的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)，工程師會(huì)按照主芯片給的設(shè)計(jì)規(guī)范進(jìn)行設(shè)計(jì)。結(jié)合項(xiàng)目工程的需要，其 ddr3 的采用的是 t 型的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)， ecc 放置在如下圖 5 圓圈中所示位置。在生產(chǎn)完成后的調(diào)試過(guò)程中，發(fā)現(xiàn) ddr3 的信號(hào)出現(xiàn)非單調(diào)性。
更新時(shí)間:2025-05-13
pcie3.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試deviceid和vendor id寄存器這兩個(gè)寄存器的值由pcisig分配，只讀。其中vendor id代表pci設(shè)備的生產(chǎn)廠商，而device id代表這個(gè)廠商所生產(chǎn)的具體設(shè)備。如xilinx公司的k7，其vendor id為0x10ee，而device id為0x7028。
更新時(shí)間:2025-05-13
pcie3.0x16 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試獲得的信號(hào)波形沒(méi)有出現(xiàn)非單調(diào)的情況。按照以上設(shè)計(jì)改板后的測(cè)試結(jié)果與仿真 致。 如果不進(jìn)行仿真，那么只能在產(chǎn)品設(shè)計(jì)完成之后進(jìn)行測(cè)試才能發(fā)現(xiàn)問(wèn)題，如果要改善， 只能再改板調(diào)整，還可能出現(xiàn)改板很多次的情況，這樣就會(huì)延遲產(chǎn)品上市時(shí)間并增加物料成本。
更新時(shí)間:2025-05-13
遇到的問(wèn)題pcie link不穩(wěn)定配置空間讀寫(xiě)正常，memory mapping空間讀寫(xiě)異常
更新時(shí)間:2025-05-13
emmc 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試emmc 芯片下方在敷銅時(shí)，焊盤部分要增加敷銅禁布框，避免銅皮分布不均影響散熱，導(dǎo)致貼片虛焊。
更新時(shí)間:2025-05-13
emmc 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試電源紋波測(cè)試過(guò)大的問(wèn)題通常和使用的探頭以及端的連接方式有關(guān)。先檢查了用戶探頭的連接方式，發(fā)現(xiàn)其使用的是如下面左圖所示的長(zhǎng)的鱷魚(yú)夾地線，而且接地點(diǎn)夾在了單板的固定螺釘上，整個(gè)地環(huán)路比較大。由于大的地環(huán)路會(huì)引入更多的開(kāi)關(guān)電源造成的空間電磁輻射噪聲以及地環(huán)路噪聲，于是更換成如下面右圖所示的短的接地彈簧針。
更新時(shí)間:2025-05-13
emmc 控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過(guò)沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試
更新時(shí)間:2025-05-13
emmc 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試這是個(gè)典型的電源紋波測(cè)試的問(wèn)題。我們通過(guò)使用短的地線連接、換用低衰減比的探頭以及帶寬限制功能使得紋波噪聲的測(cè)試結(jié)果大大改善。
更新時(shí)間:2025-05-13
emmc4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試實(shí)際上就是把電纜的頭接在示波器上，示波器設(shè)置為50歐姆輸入阻抗；電纜的另頭剝開(kāi)，屏蔽層焊接在被測(cè)電路地上，中心導(dǎo)體通過(guò)個(gè)隔直電容連接被測(cè)的電源信號(hào)。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是低成本，低衰減比，缺點(diǎn)是致性不好，隔直電容參數(shù)及帶寬不好控制。
更新時(shí)間:2025-05-13
相關(guān)產(chǎn)品：emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試通俗的來(lái)說(shuō)，emmc=nand閃存+閃存控制芯片+標(biāo)準(zhǔn)接口封裝。
更新時(shí)間:2025-05-13
emmc4 , 復(fù)位測(cè)試 , clk測(cè)試 , dqs測(cè)試emmc則在其內(nèi)部集成了 flash controller，包括了協(xié)議、擦寫(xiě)均衡、壞塊管理、ecc校驗(yàn)、電源管理、時(shí)鐘管理、數(shù)據(jù)存取等功能。
更新時(shí)間:2025-05-13
emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試包括card interface（cmd，data，clk）、memory core interface、總線接口控制（card interface controller）、電源控制、寄存器組。
更新時(shí)間:2025-05-13
emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試mmc通過(guò)發(fā)cmd的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)卡的初始化和數(shù)據(jù)訪問(wèn)。device identification mode包括3個(gè)階段idle state、ready state、identification state。
更新時(shí)間:2025-05-13
emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc5 復(fù)位測(cè)試identification state，發(fā)送完 cid 后，emmc device就會(huì)進(jìn)入該階段。
更新時(shí)間:2025-05-13
相關(guān)產(chǎn)品：電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 , emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試
更新時(shí)間:2025-05-13
相關(guān)產(chǎn)品：clk測(cè)試 , dqs測(cè)試 , emmc4 , 上電時(shí)序測(cè)試data strobe 時(shí)鐘信號(hào)由 emmc 發(fā)送給 host，頻率與 clk 信號(hào)相同，用于 host 端進(jìn)行數(shù)據(jù)接收的同步。data strobe 信號(hào)只能在 hs400 模式下配置啟用，啟用后可以提高數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆(wěn)定性，省去總線 tuning 過(guò)程。
更新時(shí)間:2025-05-13
相關(guān)產(chǎn)品：clk測(cè)試 , dqs測(cè)試 , emmc4 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試
更新時(shí)間:2025-05-13
電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試
更新時(shí)間:2025-05-13
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc5 上電時(shí)序測(cè)試start bit 與 command 樣，固定為 "0"，在沒(méi)有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下，cmd 信號(hào)保持高電平，當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線上時(shí)，host 可以很方便檢測(cè)到該信號(hào)，并開(kāi)始接收 response。
更新時(shí)間:2025-05-13
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc5 上電時(shí)序測(cè)試start bit 與 command 樣，固定為 "0"，在沒(méi)有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下，cmd 信號(hào)保持高電平，當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線上時(shí)，host 可以很方便檢測(cè)到該信號(hào)，并開(kāi)始接收 response。
更新時(shí)間:2025-05-13
clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc4 上電時(shí)序測(cè)試，眼圖測(cè)試crc 為 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值，不包含 start bit。各個(gè) data line 上的 crc 為對(duì)應(yīng) data line 的 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值。
更新時(shí)間:2025-05-13
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試在 ddr 模式下，data line 在時(shí)鐘的上升沿和下降沿都會(huì)傳輸數(shù)據(jù)，其中上升沿傳輸數(shù)據(jù)的奇數(shù)字節(jié) （byte 1,3,5...），下降沿則傳輸數(shù)據(jù)的偶數(shù)字節(jié)（byte 2,4,6 ...）。
更新時(shí)間:2025-05-13
復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc4 上電時(shí)序測(cè)試當(dāng) emmc device 處于 sdr 模式時(shí)，host 可以發(fā)送 cmd19 命令，觸發(fā)總線測(cè)試過(guò)程（bus testing procedure），測(cè)試總線硬件上的連通性。
更新時(shí)間:2025-05-13
jt－5000漏水探測(cè)儀數(shù)字濾波型采用微處理器數(shù)字化處理線路，，在復(fù)雜的環(huán)境中亦可探測(cè)漏水，大屏液晶，小值顯示，實(shí)時(shí)漏水靈音，高靈敏主動(dòng)式傳感器，光電無(wú)觸點(diǎn)手柄開(kāi)關(guān)，大容量鋰離子充電電池。
更新時(shí)間:2025-05-13
jt－1a漏水探測(cè)儀高靈敏智能型采用微處理數(shù)化線路，高保真高降噪信號(hào)顯示，耳感逼真，清晰度高，高靈敏度傳感器，大容量充電鋰電池，輕量微型化機(jī)身。
更新時(shí)間:2025-05-13
jt－sc01手持式地下管道漏水檢測(cè)儀小巧便攜，手持即可檢測(cè)，可檢測(cè)各種類型水、油、氣等壓力管道的泄漏，包括鋼、鑄鐵、pvc、水泥管及石棉管等。
更新時(shí)間:2025-05-13
jt-3ax管道泄漏檢測(cè)儀采用了雙模傳感技術(shù)、現(xiàn)代音頻信號(hào)處理技術(shù)、嵌入式微處理器技術(shù)、智能數(shù)據(jù)分析及輔助圖形技術(shù)等當(dāng)先進(jìn)技術(shù)，其聽(tīng)音效果清晰、適合復(fù)雜工況場(chǎng)合、智能化數(shù)據(jù)分析、可靠穩(wěn)定，是款有效巡檢管道和定位泄漏的先進(jìn)測(cè)漏儀器。jt-3ax通過(guò)傳感器拾取地下壓力管道破損泄漏產(chǎn)生的振動(dòng)信號(hào)來(lái)準(zhǔn)確定位泄漏點(diǎn)的位置。
更新時(shí)間:2025-05-13
jt-2000型漏水檢測(cè)儀為袖珍便攜式漏水檢測(cè)儀，主機(jī)體積只有150mm×70mm×116mm大小，重約870克，攜帶操作為輕巧簡(jiǎn)便，整體設(shè)計(jì)采用全金屬外殼，堅(jiān)固耐用。
更新時(shí)間:2025-05-13
jt-3000漏水檢測(cè)儀是用于尋找并確定供水管道漏位置的用儀器，也可用于其它壓力管道系統(tǒng)的檢漏，當(dāng)管道內(nèi)流體在壓力下逸出時(shí)，產(chǎn)生噪音能沿管道傳播，或沿埋層介質(zhì)傳播到地面，檢漏儀jt-3000能沿管線或其路面上方確定漏點(diǎn)位置。
更新時(shí)間:2025-05-13
jt-5000智能型數(shù)字濾波管道漏水檢測(cè)儀采用微處理器數(shù)字化處理線路，在復(fù)雜的環(huán)境中亦可探測(cè)漏水，大屏液晶，小值顯示，實(shí)時(shí)漏水錄音，高靈敏主動(dòng)式傳感器，光電無(wú)觸點(diǎn)手柄開(kāi)關(guān)，大容量鋰離子充電電池。
更新時(shí)間:2025-05-13
jt-sc01型手持式智能數(shù)字式泄漏檢測(cè)儀特點(diǎn)是小巧便攜，手持即可檢測(cè)。其原理是各類水油氣等帶壓管道當(dāng)某處破損泄漏時(shí)，壓力水油氣從管道破損處向處噴射，與管道破裂縫隙間的摩擦而產(chǎn)生振動(dòng)會(huì)引起噴注噪聲，這種聲音隨管道向兩側(cè)和埋設(shè)地面上方路面?zhèn)鞑，此時(shí)用jt-sc01型泄漏檢測(cè)儀的傳感器在路面上方檢測(cè)這種微弱泄漏信號(hào)，通過(guò)主機(jī)進(jìn)行放大顯示，并有選擇的過(guò)濾噪音，獨(dú)立出泄漏聲波，使操作者找到泄漏源
更新時(shí)間:2025-05-13
jt-1a地下管道泄漏檢測(cè)儀，是款性能其優(yōu)異的壓力管道泄漏檢測(cè)儀器，擁有超強(qiáng)的抗干擾與數(shù)據(jù)處理能力，輸出泄漏信號(hào)清晰靈敏，操作界面目了然，可以使您的工作更加輕松，它具有以下主要特點(diǎn)：微處理器數(shù)字經(jīng)線路，高保真高降噪信號(hào)顯示，耳感逼真，清晰度高，高靈敏度傳感器，大容量充電鋰電池，輕量微型化機(jī)身。
更新時(shí)間:2025-05-13
泰克tektronix 以太網(wǎng)一致性測(cè)試夾具 泰克tektronix 以太網(wǎng)一致性測(cè)試夾具，硬件測(cè)試，ddr測(cè)試，時(shí)序測(cè)試，紋波測(cè)試，抖動(dòng)測(cè)試
更新時(shí)間:2025-05-13
城市道路積水監(jiān)測(cè)系統(tǒng)是山東天合環(huán)境科技有限公司研發(fā)生產(chǎn)，可以及時(shí)避免人員、車輛誤入深水路段造成重大人身傷害與經(jīng)濟(jì)損失。
更新時(shí)間:2025-05-12
陰極保護(hù)監(jiān)測(cè)儀sd-21用于測(cè)量陰極電位溢出，從而預(yù)防埋地燃?xì)夤艿赖母g。輸入阻抗為100 mω，在某些地形（比如花崗巖）上輸入阻抗可以被精確無(wú)誤的測(cè)量出來(lái)。是世界上首款同時(shí)設(shè)備電壓、電流、接地電阻、頻率的設(shè)備。
更新時(shí)間:2025-05-12
商品名稱：juki feeder校正儀商品品牌：鑫鴻基/xhj商品產(chǎn)地：深圳商品尺寸（mm）：l500*w350*h500商品重量：約35kg適用機(jī)型：juki系列機(jī)型
更新時(shí)間:2025-05-12
ptl溫升測(cè)試角，進(jìn)口測(cè)試角，ptl溫度測(cè)試角，p06系列測(cè)試角
更新時(shí)間:2025-05-11
防腐層撿漏儀北京廠家 dj-6（a/b）型電火花檢漏儀檢測(cè)厚度:0.05～10mm，輸出電壓:0.6kv～30kv,dj-6(a)檢測(cè)厚度：0.03～1.5mm，輸出高壓：600v～8000v 是用于檢測(cè)金屬防腐涂層質(zhì)量的專用儀器，使用本儀器可以對(duì)不同厚度的搪玻璃、玻璃鋼、環(huán)氧煤瀝青和橡膠襯里等涂層，進(jìn)行質(zhì)量檢測(cè)。
更新時(shí)間:2025-05-10
最新產(chǎn)品
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