其他產(chǎn)品及廠家
本儀器由溫度顯示表和雙針式k型熱電偶探頭組成。用于測(cè)量導(dǎo)電金屬材料的表面溫度。 儀器主要應(yīng)用于鋁加工行業(yè)，配置于鋁棒加熱爐旁，用于檢測(cè)加熱后的鋁棒溫度。
更新時(shí)間:2025-05-13
便攜式鋁液溫度計(jì)應(yīng)用于鋁加工行業(yè)，用于在熔煉過程中測(cè)量鋁液溫度。儀器由溫度表、熱電偶和熱電偶保護(hù)管組成。保護(hù)管極耐鋁水腐蝕，將其安裝在熱電偶前端，可保護(hù)熱電偶，延長(zhǎng)熱電偶的使用壽命。鋁液對(duì)般金屬的腐蝕性都很強(qiáng)，普通的測(cè)溫?zé)犭娕荚阡X液中會(huì)很快被腐蝕掉，壽命很短。本儀器是測(cè)量鋁液溫度的用儀器，使用壽命較長(zhǎng)。技術(shù)參數(shù)：
更新時(shí)間:2025-05-13
wry-c型微機(jī)熱原測(cè)溫儀用于注射用藥的熱原檢查和解熱藥的藥理研究，以及用于觀察藥物對(duì)動(dòng)物家兔體溫的影響等，它是檢驗(yàn)針劑質(zhì)量和研究藥物藥理的用檢測(cè)儀器，它采用電腦控制，按《中國(guó)藥典2010版》所規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，熱原檢測(cè)應(yīng)用系統(tǒng)軟件，能進(jìn)行熱原測(cè)試，新兔挑選，打印測(cè)試報(bào)告和磁盤存取（軟盤移動(dòng)硬盤）等，均具有漢字顯示功能，直觀、清晰。
更新時(shí)間:2025-05-13
手持式儀表l 國(guó)際規(guī)范,iec 651 type iil 瞬時(shí)值測(cè)量方式l 范圍：40～130db l 迷你型設(shè)計(jì)，美觀大方l 大/小值鎖定，讀值鎖定l 手動(dòng)換檔
更新時(shí)間:2025-05-13
產(chǎn)品特點(diǎn)： 測(cè)試量程：32~130db。 迷你體積。 低價(jià)格又有高性能。 大/小功能。 解析度0.1db。 電平量程顯示。
更新時(shí)間:2025-05-13
多種仿真技術(shù)(/l/t/s)：綜合采用多種新的仿真技術(shù)，從而可以仿真各種8/16/32位mcu，仿真的芯片達(dá)到數(shù)千種。 通用仿真器(/l/t/s)：配置不同的仿真頭，可以仿真多種單片機(jī)，功能強(qiáng)大，性能可靠，為將來(lái)發(fā)展留有空間 仿真頻率極高(/l/t/s)：全新仿真頭設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，高仿真頻率高達(dá)50mhz
更新時(shí)間:2025-05-13
本模塊用于電機(jī)控制系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)電路，可與mcu模塊直接連接。
更新時(shí)間:2025-05-13
本實(shí)驗(yàn)?zāi)K適用與fpga 模塊（esdm-0301）配合，構(gòu)成各高速電子系統(tǒng)。如高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、dds任意信號(hào)發(fā)生器、簡(jiǎn)易存儲(chǔ)示波器、簡(jiǎn)易邏輯分析儀、can現(xiàn)場(chǎng)總線控制系統(tǒng)等。
更新時(shí)間:2025-05-13
l 環(huán)境溫度：－20℃～60℃。l 相對(duì)溫度：不大于93％（25℃）。l 工作電源：ac220v±15％，50hz，或機(jī)內(nèi)電池。l 精 度：0.20級(jí)。l 顯示方式：320*240彩色漢字液晶屏。l 打印方式：針式微打。l 測(cè)量壓力范圍：0～1.0mpa
更新時(shí)間:2025-05-13
變頻抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀用于現(xiàn)場(chǎng)抗干擾介損測(cè)量，或試驗(yàn)室精密介損測(cè)量。儀器為體化結(jié)構(gòu)，內(nèi)置介損電橋、變頻電源、試驗(yàn)變壓器和標(biāo)準(zhǔn)電容器等。采用變頻抗干擾和傅立葉變換數(shù)字濾波技術(shù)，全自動(dòng)智能化測(cè)量，強(qiáng)干擾下測(cè)量數(shù)據(jù)非常穩(wěn)定。測(cè)量結(jié)果由大屏幕液晶顯示，自帶微型打印機(jī)可打印輸出。
更新時(shí)間:2025-05-13
標(biāo)準(zhǔn)的4相電壓3相電流輸出 具有4相電壓3相電流輸出，可方便地進(jìn)行各種組合輸出進(jìn)行各種類型保護(hù)試驗(yàn)。每相電壓可輸出120v，電流三并可輸出120a，第4相電壓ux為多功能電壓項(xiàng)，可設(shè)為4種3u0或檢同期電壓，或任意某電壓值的情況輸出。
更新時(shí)間:2025-05-13
1、flh5000多路電阻測(cè)試儀是新型多路電阻測(cè)試儀應(yīng)用于電子器件、電機(jī)繞組、接插件、開關(guān)、導(dǎo)體、點(diǎn)火器等元器件的測(cè)量。2、多路數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)軟件采集溫度數(shù)據(jù)，記錄測(cè)試數(shù)據(jù)，繪制電阻曲線
更新時(shí)間:2025-05-13
1、智能化、寬范圍、高精密的直流電阻測(cè)試儀器2、電熱材料，變壓器及電感線圈銅阻、繼電器接觸電阻、開關(guān)、接插件接觸電阻、導(dǎo)線電阻、元件焊點(diǎn)接觸電阻、印制板線條及焊孔電阻、金屬探傷3、用于生產(chǎn)線，可使用handler接口輸出良品/不良品信號(hào)，以提高生產(chǎn)線自動(dòng)化測(cè)試能力
更新時(shí)間:2025-05-13
泰克tektronix 以太網(wǎng)一致性測(cè)試夾具 泰克tektronix 以太網(wǎng)一致性測(cè)試夾具，硬件測(cè)試，ddr測(cè)試，時(shí)序測(cè)試，紋波測(cè)試，抖動(dòng)測(cè)試
更新時(shí)間:2025-05-13
cie2.0 3.0 物理層致性測(cè)試pcie總線與pci總線不同，pcie總線使用端到端的連接方式，在條pcie鏈路的兩端只能各連接個(gè)設(shè)備，這兩個(gè)設(shè)備互為是數(shù)據(jù)發(fā)送端和數(shù)據(jù)接收端。pcie鏈路可以由多條lane組成，目pcie鏈路×1、×2、×4、×8、×16和×32寬度的pcie鏈路，還有幾乎不使用的×12鏈路。
更新時(shí)間:2025-05-13
pcie總線的層次組成結(jié)構(gòu)與網(wǎng)絡(luò)中的層次結(jié)構(gòu)有類似之處，但是pcie總線的各個(gè)層次都是使用硬件邏輯實(shí)現(xiàn)的。在pcie體系結(jié)構(gòu)中，數(shù)據(jù)報(bào)文先在設(shè)備的核心層(device core)中產(chǎn)生，然后再經(jīng)過該設(shè)備的事務(wù)層(transactionlayer)、數(shù)據(jù)鏈路層(data link layer)和物理層(physical layer)，終發(fā)送出去。
更新時(shí)間:2025-05-13
pcie2.0 3.0 rx 接收 物理層致性測(cè)試當(dāng)pcie設(shè)備進(jìn)入休眠狀態(tài)，主電源已經(jīng)停止供電時(shí)，pcie設(shè)備使用該信號(hào)向處理器系統(tǒng)提交喚醒請(qǐng)求，使處理器系統(tǒng)重新為該pcie設(shè)備提供主電源vcc。
更新時(shí)間:2025-05-13
pcie 初始化完成后會(huì)進(jìn)入l0狀態(tài)。異常狀態(tài)見pcie link 異常log。物理層link 不穩(wěn)定，懷疑以下原因：- 高速串行信號(hào)質(zhì)量問題- serdes電源問題- 時(shí)鐘問題
更新時(shí)間:2025-05-13
pcie2.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試集成電路的發(fā)明是人類歷史上的大創(chuàng)舉，它大地推動(dòng)了人類的現(xiàn)代文明進(jìn)程，在天無(wú)時(shí)無(wú)刻不在影響著我們的生活。進(jìn)入 21 世紀(jì)以來(lái)，集成電路的發(fā)展則更是狂飆猛進(jìn)。天的大規(guī)模集成電路生產(chǎn)和制造工藝已經(jīng)達(dá)到 10 nm 量產(chǎn)水平，更高的集成度意味著同等體積下提供了更高的性能，當(dāng)然對(duì)業(yè)內(nèi)從業(yè)者來(lái)說(shuō)遇到的挑戰(zhàn)和問題也就越來(lái)越嚴(yán)峻。
更新時(shí)間:2025-05-13
pcie2.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試在個(gè)處理器系統(tǒng)中，般提供×16的pcie插槽，并使用petp0~15、petn0~15和perp0~15、pern0~15共64根信號(hào)線組成32對(duì)差分信號(hào)，其中16對(duì)petxx信號(hào)用于發(fā)送鏈路，另外16對(duì)perxx信號(hào)用于接收鏈路。除此之外pcie總線還使用了下列輔助信號(hào)。
更新時(shí)間:2025-05-13
pcie1.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試日益降低的信號(hào)幅度必將帶來(lái)信噪比(snr)的挑戰(zhàn)，也即隨著信號(hào)幅度越來(lái)越低，對(duì)整個(gè) 電路系統(tǒng)的噪聲要求也越來(lái)越嚴(yán)格。尤其是在近 3 年來(lái)越來(lái)越熱的pam 調(diào)制，比如廣泛用于 200g/400g 傳輸?shù)?pam-4 技術(shù)，由于采用 4 電平調(diào)制，其對(duì)信噪比的要求比采用nrz 編碼的信噪比要高 9db.
更新時(shí)間:2025-05-13
pcie1.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試ci總線定義了兩類配置請(qǐng)求，個(gè)是type00h配置請(qǐng)求，另個(gè)是type 01h配置請(qǐng)求。
更新時(shí)間:2025-05-13
pcie1.0x16 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試電子產(chǎn)品發(fā)展到當(dāng)?shù)臅r(shí)代，工程界已經(jīng)積累了很多實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，再搭上互聯(lián)網(wǎng)大力 發(fā)展的快車，每位工程師都可以很輕松地從其他人的工程經(jīng)驗(yàn)分享中獲得很多有價(jià)值和 有助于自己設(shè)計(jì)的經(jīng)驗(yàn)，但是經(jīng)驗(yàn)并不是金科玉律，也不是都適合工程師特殊的設(shè)計(jì)需求。
更新時(shí)間:2025-05-13
pcie3.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試下面是個(gè) ddr3 設(shè)計(jì)的實(shí)際案例。按照傳統(tǒng)的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)，工程師會(huì)按照主芯片給的設(shè)計(jì)規(guī)范進(jìn)行設(shè)計(jì)。結(jié)合項(xiàng)目工程的需要，其 ddr3 的采用的是 t 型的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)， ecc 放置在如下圖 5 圓圈中所示位置。在生產(chǎn)完成后的調(diào)試過程中，發(fā)現(xiàn) ddr3 的信號(hào)出現(xiàn)非單調(diào)性。
更新時(shí)間:2025-05-13
pcie3.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試deviceid和vendor id寄存器這兩個(gè)寄存器的值由pcisig分配，只讀。其中vendor id代表pci設(shè)備的生產(chǎn)廠商，而device id代表這個(gè)廠商所生產(chǎn)的具體設(shè)備。如xilinx公司的k7，其vendor id為0x10ee，而device id為0x7028。
更新時(shí)間:2025-05-13
pcie3.0x16 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試獲得的信號(hào)波形沒有出現(xiàn)非單調(diào)的情況。按照以上設(shè)計(jì)改板后的測(cè)試結(jié)果與仿真 致。 如果不進(jìn)行仿真，那么只能在產(chǎn)品設(shè)計(jì)完成之后進(jìn)行測(cè)試才能發(fā)現(xiàn)問題，如果要改善， 只能再改板調(diào)整，還可能出現(xiàn)改板很多次的情況，這樣就會(huì)延遲產(chǎn)品上市時(shí)間并增加物料成本。
更新時(shí)間:2025-05-13
梅特勒電極ha405-dpa-sc-s8/120（有問題，產(chǎn)品上留有碎渣） 硬件開放實(shí)驗(yàn)室 開放實(shí)驗(yàn)室 儀器租賃
更新時(shí)間:2025-05-13
emmc 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試emmc 芯片下方在敷銅時(shí)，焊盤部分要增加敷銅禁布框，避免銅皮分布不均影響散熱，導(dǎo)致貼片虛焊。
更新時(shí)間:2025-05-13
emmc 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試電源紋波測(cè)試過大的問題通常和使用的探頭以及端的連接方式有關(guān)。先檢查了用戶探頭的連接方式，發(fā)現(xiàn)其使用的是如下面左圖所示的長(zhǎng)的鱷魚夾地線，而且接地點(diǎn)夾在了單板的固定螺釘上，整個(gè)地環(huán)路比較大。由于大的地環(huán)路會(huì)引入更多的開關(guān)電源造成的空間電磁輻射噪聲以及地環(huán)路噪聲，于是更換成如下面右圖所示的短的接地彈簧針。
更新時(shí)間:2025-05-13
emmc 控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試
更新時(shí)間:2025-05-13
emmc 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試這是個(gè)典型的電源紋波測(cè)試的問題。我們通過使用短的地線連接、換用低衰減比的探頭以及帶寬限制功能使得紋波噪聲的測(cè)試結(jié)果大大改善。
更新時(shí)間:2025-05-13
emmc4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試實(shí)際上就是把電纜的頭接在示波器上，示波器設(shè)置為50歐姆輸入阻抗；電纜的另頭剝開，屏蔽層焊接在被測(cè)電路地上，中心導(dǎo)體通過個(gè)隔直電容連接被測(cè)的電源信號(hào)。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是低成本，低衰減比，缺點(diǎn)是致性不好，隔直電容參數(shù)及帶寬不好控制。
更新時(shí)間:2025-05-13
相關(guān)產(chǎn)品：emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試通俗的來(lái)說(shuō)，emmc=nand閃存+閃存控制芯片+標(biāo)準(zhǔn)接口封裝。
更新時(shí)間:2025-05-13
emmc4 , 復(fù)位測(cè)試 , clk測(cè)試 , dqs測(cè)試emmc則在其內(nèi)部集成了 flash controller，包括了協(xié)議、擦寫均衡、壞塊管理、ecc校驗(yàn)、電源管理、時(shí)鐘管理、數(shù)據(jù)存取等功能。
更新時(shí)間:2025-05-13
emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試包括card interface（cmd，data，clk）、memory core interface、總線接口控制（card interface controller）、電源控制、寄存器組。
更新時(shí)間:2025-05-13
emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試mmc通過發(fā)cmd的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)卡的初始化和數(shù)據(jù)訪問。device identification mode包括3個(gè)階段idle state、ready state、identification state。
更新時(shí)間:2025-05-13
emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc5 復(fù)位測(cè)試identification state，發(fā)送完 cid 后，emmc device就會(huì)進(jìn)入該階段。
更新時(shí)間:2025-05-13
相關(guān)產(chǎn)品：電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 , emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試
更新時(shí)間:2025-05-13
相關(guān)產(chǎn)品：clk測(cè)試 , dqs測(cè)試 , emmc4 , 上電時(shí)序測(cè)試data strobe 時(shí)鐘信號(hào)由 emmc 發(fā)送給 host，頻率與 clk 信號(hào)相同，用于 host 端進(jìn)行數(shù)據(jù)接收的同步。data strobe 信號(hào)只能在 hs400 模式下配置啟用，啟用后可以提高數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆(wěn)定性，省去總線 tuning 過程。
更新時(shí)間:2025-05-13
相關(guān)產(chǎn)品：clk測(cè)試 , dqs測(cè)試 , emmc4 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試
更新時(shí)間:2025-05-13
電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試
更新時(shí)間:2025-05-13
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc5 上電時(shí)序測(cè)試start bit 與 command 樣，固定為 "0"，在沒有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下，cmd 信號(hào)保持高電平，當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線上時(shí)，host 可以很方便檢測(cè)到該信號(hào)，并開始接收 response。
更新時(shí)間:2025-05-13
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc5 上電時(shí)序測(cè)試start bit 與 command 樣，固定為 "0"，在沒有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下，cmd 信號(hào)保持高電平，當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線上時(shí)，host 可以很方便檢測(cè)到該信號(hào)，并開始接收 response。
更新時(shí)間:2025-05-13
clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc4 上電時(shí)序測(cè)試，眼圖測(cè)試crc 為 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值，不包含 start bit。各個(gè) data line 上的 crc 為對(duì)應(yīng) data line 的 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值。
更新時(shí)間:2025-05-13
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試在 ddr 模式下，data line 在時(shí)鐘的上升沿和下降沿都會(huì)傳輸數(shù)據(jù)，其中上升沿傳輸數(shù)據(jù)的奇數(shù)字節(jié) （byte 1,3,5...），下降沿則傳輸數(shù)據(jù)的偶數(shù)字節(jié)（byte 2,4,6 ...）。
更新時(shí)間:2025-05-13
復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc4 上電時(shí)序測(cè)試當(dāng) emmc device 處于 sdr 模式時(shí)，host 可以發(fā)送 cmd19 命令，觸發(fā)總線測(cè)試過程（bus testing procedure），測(cè)試總線硬件上的連通性。
更新時(shí)間:2025-05-13
遇到的問題pcie link不穩(wěn)定配置空間讀寫正常，memory mapping空間讀寫異常
更新時(shí)間:2025-05-13
7405ETS-LINDGREN近場(chǎng)探頭，硬件測(cè)試，開放實(shí)驗(yàn)室，DDR測(cè)試，時(shí)序測(cè)試，紋波測(cè)試，抖動(dòng)測(cè)試
misenbo 硬件開放實(shí)驗(yàn)室 開放實(shí)驗(yàn)室 硬件實(shí)驗(yàn)室 ets-lindgren 7405近場(chǎng)探頭 儀器資訊
更新時(shí)間:2025-05-13
misenbo 硬件開放實(shí)驗(yàn)室 開放實(shí)驗(yàn)室 硬件實(shí)驗(yàn)室 nemtest dito 靜電放電模擬器 儀器資訊
更新時(shí)間:2025-05-13
mipi傳輸過程中的信號(hào)質(zhì)量問題mipi是2003年由arm，nokia，st，it等公司成立的個(gè)聯(lián)盟，旨在把手機(jī)內(nèi)部的接口如存儲(chǔ)接口，顯示接口，射頻/基帶接口等標(biāo)準(zhǔn)化，減少兼容性問題并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。
更新時(shí)間:2025-05-13
最新產(chǎn)品
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