光學(xué)平臺(tái)產(chǎn)品及廠家
raith 150 two可實(shí)現(xiàn)亞5nm的曝光結(jié)構(gòu)，可處理8”晶元及以下樣片。環(huán)境屏蔽罩保證了系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性，提高設(shè)備對(duì)實(shí)驗(yàn)室環(huán)境的容忍度，即使在相對(duì)糟糕的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下，也能保證系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運(yùn)行。
更新時(shí)間:2025-05-12
raith 150 two可實(shí)現(xiàn)亞5nm的曝光結(jié)構(gòu)，可處理8”晶元及以下樣片。環(huán)境屏蔽罩保證了系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性，提高設(shè)備對(duì)實(shí)驗(yàn)室環(huán)境的容忍度，即使在相對(duì)糟糕的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下，也能保證系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運(yùn)行。
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德國(guó)raith voyager 新一代超高分辨率電子束光刻機(jī),系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)8英寸樣品的高速曝光。系統(tǒng)的穩(wěn)定性是非常關(guān)鍵的指標(biāo)，可保證大面積均勻曝光。該系統(tǒng)外部采用環(huán)境屏蔽罩，即使在稍差的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下，仍然能確保系統(tǒng)具有非常好的熱穩(wěn)定性，提高系統(tǒng)對(duì)外界環(huán)境的容忍度。
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ebpg5150使用了155mm大小的樣品臺(tái)，采用跟ebpg5200一樣的通用光刻平臺(tái)設(shè)計(jì)，對(duì)電子束直寫(xiě)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。它可以載入不同大小的樣品,包括多片散片以及完整的硅片。
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系統(tǒng)中集成了高精度的激光干涉工作臺(tái)，運(yùn)動(dòng)行程為50 x 50 x 25mm，xy方向定位精度為2nm，可以實(shí)現(xiàn)精確的拼接套刻，拼接套刻精度≤50nm。
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主要優(yōu)勢(shì)提高分辨率 25%更佳的貼片性能 70%更快的寫(xiě)入速度20%
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瑞典 mycronic 掩膜版光刻機(jī) fps6100，用于制作高精度掩膜版，廣泛用于半導(dǎo)體，tft-lcd，微電子等行業(yè)。
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英國(guó)nanobean nb5 電子束光刻機(jī),具有良好的穩(wěn)定性，平均正常運(yùn)行時(shí)間超過(guò)93%.
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minilock-phantom iii 具有預(yù)真空室的反應(yīng)離子刻蝕機(jī)。適用于單個(gè)基片或帶承片盤(pán)的基片(3” - 300mm尺寸)，為實(shí)驗(yàn)室和試制線生產(chǎn)環(huán)境提供最先進(jìn)的刻蝕能力。它也具有多尺寸批量處理(4x3”; 3x4”; 7x2”)。系統(tǒng)有多達(dá)七種工藝氣體可以用于刻蝕各種薄膜，如氧化硅、氮化硅、多晶硅、鋁、砷化鎵、鉻、銅、磷化銦和鈦。
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oracle iii由中央真空傳輸系統(tǒng)(cvt)、真空盒升降機(jī)和最多四個(gè)工藝反應(yīng)室構(gòu)成。這些工藝反應(yīng)室與中央負(fù)載鎖對(duì)接，既能夠以生產(chǎn)模式運(yùn)行，也能夠作為單個(gè)系統(tǒng)獨(dú)立作業(yè)。 oracle iii是市場(chǎng)上最靈活的系統(tǒng)，既可以為實(shí)驗(yàn)室環(huán)境進(jìn)行配置(使用單基片裝卸)，也可以為批量生產(chǎn)進(jìn)行配置(使用真空盒升降機(jī)進(jìn)行基片傳送)。
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titan是一套用于半導(dǎo)體生產(chǎn)的十分緊湊、全自動(dòng)化、帶預(yù)真空室的等離子系統(tǒng)。titan具有反應(yīng)離子刻蝕(rie)配置、高密度電感耦合等離子沉積(hdicp)或等離子增強(qiáng)型化學(xué)汽相沉積(pecvd)配置？蓪(duì)單個(gè)基片或帶承片盤(pán)的基片(3”-300mm)進(jìn)行處理。它還具有多尺寸批量處理功能。價(jià)格適宜且占地面積小。
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美國(guó)trion orion iii pecvd 薄膜沉積系統(tǒng)可以在緊湊的平臺(tái)上生產(chǎn)高品質(zhì)的薄膜。獨(dú)特的反應(yīng)器設(shè)計(jì)可以在在極低的功率生產(chǎn)具有優(yōu)異臺(tái)階覆蓋的低應(yīng)力薄膜。該系統(tǒng)可以滿足實(shí)驗(yàn)室和中試生產(chǎn)環(huán)境中的所有安全，設(shè)施和工藝標(biāo)準(zhǔn)要求。
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orion hdcvd 高密度氣相化學(xué)沉積系統(tǒng)采用高密度的化學(xué)氣相沉積技術(shù)，在惰性氣體進(jìn)入口安裝感應(yīng)線圈，周圍布置陶瓷管。射頻創(chuàng)建等離子體,通過(guò)氣體環(huán)在襯底表面附近引入揮發(fā)性氣體。當(dāng)惰性氣體與揮發(fā)性物質(zhì)結(jié)合時(shí)，會(huì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，然后在襯底表面沉積一層薄膜.
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德zeiss sigma sem 電子束直寫(xiě)儀,利用曝光抗蝕劑，采用電子束直接曝光，可在各種襯底材料表面直寫(xiě)各種圖形，圖形結(jié)構(gòu)（小線寬為10mm），是研究材料在低維度、小尺寸下量子行為的重要工具。廣泛應(yīng)用于納米器件，光子晶體，低維半導(dǎo)體等沿域。
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俄羅斯 optosystem 準(zhǔn)分子激光器：cl7000, 準(zhǔn)分子激光器是傳統(tǒng)的氣體激光器，由于波長(zhǎng)短（紫外），短脈沖寬度，高脈沖能量，是激光器家族不可替代的品種！應(yīng)用上，準(zhǔn)分子激光器在脈沖沉積鍍膜（pld），光纖光柵刻寫(xiě)，lasik，光刻，微納加工等方面占主導(dǎo)的地位。
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denton 磁控濺射及電子束蒸發(fā)薄膜沉積平臺(tái),提供了薄膜工業(yè)中廣泛的配置和沉積模式:電子束蒸發(fā)、電阻蒸發(fā)、濺射、離子鍍和離子輔助沉積。
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法plassys超高真空多腔體電子束鍍膜機(jī)meb550sl3，可以用于沉積ti, ni, au, cr, al, al2o3等金屬及氧化物薄膜，目全球主要超導(dǎo)量子實(shí)驗(yàn)室均使用該設(shè)備制備超導(dǎo)al結(jié)（量子比特和約瑟夫森結(jié)）和量子器件，可以制備大面積、高度穩(wěn)定性和可重復(fù)性超導(dǎo)結(jié)。
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美arradiance 臺(tái)式三維原子沉積系統(tǒng)ald，在小巧的機(jī)身（78 x56 x28 cm）中集成了原子層沉積所需的所有功能，可最多容納9片8英寸基片同時(shí)沉積。gemstar xt全系配備熱壁，結(jié)合前驅(qū)體瓶加熱，管路加熱，橫向噴頭等設(shè)計(jì)，使溫度均勻性高達(dá)99.9%，氣流對(duì)溫度影響減少到0.03%以下。
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德國(guó) sentech pe-ald 等離子體增強(qiáng)--原子層沉積系統(tǒng)，是在3d結(jié)構(gòu)上逐層沉積超薄薄膜的工藝方法。薄膜厚度和特性的精確控制通過(guò)在工藝循環(huán)過(guò)程中在真空腔室分步加入置物實(shí)現(xiàn)。等離子增強(qiáng)原子層沉積（peald）是用等離子化的氣態(tài)原子替代水作為氧化物來(lái)增強(qiáng)ald性能的先進(jìn)方法。
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德國(guó) sentech si 500 d 等離子沉積機(jī)，具有特殊的等離子體特性，如高密度、低離子能量和介質(zhì)膜的低壓沉積。
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德國(guó)sentech pecvd si 500 ppd等離子沉積機(jī),。它是基于平面電容耦合等離子體源，真空加載鎖定，控溫基片電，可選配低頻混頻，全控?zé)o油真空系統(tǒng)采用先進(jìn)的森泰克控制軟件，采用遠(yuǎn)程現(xiàn)場(chǎng)總線技術(shù)，具有非常友好的通用用戶界面用于操作si 500 ppd的用戶界面。
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pecvd depolab 200 等離子體沉積機(jī),將平行板等離子體源設(shè)計(jì)與直接負(fù)載相結(jié)合,可以升為更大的抽油機(jī)、低頻電源和額外的燃?xì)夤艿馈?/div>
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sentech etchlab200 經(jīng)濟(jì)型反應(yīng)離子刻蝕機(jī)(可升級(jí))，包括抽速更大的真空單元、預(yù)真空室及附加氣路等。
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etchlab 200 rie等離子體蝕刻機(jī)是一種將rie平行板電設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)與直接負(fù)載的低成本設(shè)計(jì)相結(jié)合的直接負(fù)載等離子體蝕刻機(jī)系列。etchlab 200具有簡(jiǎn)單快速的樣品加載功能，從零件到200a‰mm或300a‰mm直徑的晶圓片直接加載到電或載體上。
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entech rie si591 平板電容式反應(yīng)離子刻蝕機(jī)，兼容多種氯基或氟基刻蝕工藝；小型化和高度模塊化；sentech控制軟件
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德國(guó)sentech icp-rie si 500 等離子刻蝕機(jī)，代表了電感耦合等離子體(icp)加工在研究和生產(chǎn)上的先優(yōu)勢(shì)。它以ptsa等離子體源、動(dòng)態(tài)控溫基片電、全控真空系統(tǒng)、先進(jìn)的sentech 控制軟件為基礎(chǔ)，采用遠(yuǎn)程現(xiàn)場(chǎng)總線技術(shù)，為操作si 500提供了非常人性化的通用用戶界面。靈活性和模塊化是si 500的設(shè)計(jì)特點(diǎn)。
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sentech si 500 電感耦合等離子體icp干法刻蝕系統(tǒng)，感應(yīng)耦合等離子刻蝕機(jī)臺(tái)，低損傷納米結(jié)構(gòu)刻蝕，高速率刻蝕，內(nèi)置icp等離子源，動(dòng)態(tài)溫控。
更新時(shí)間:2025-05-12
ure-2000系列紫外單面光刻機(jī)，主要型號(hào)有：ure-2000a，ure-2000b，ure-20000/35,ure-20000/35a，ure-2000/25,ure-2000/17.由中國(guó)科學(xué)院制造生產(chǎn)。
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ure-2000/a8 紫外單面光刻機(jī)，中科院設(shè)計(jì)生產(chǎn)。曝光面積： 200mm×200mm
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ure-2000a 型紫外單面光刻機(jī)，中科院設(shè)計(jì)生產(chǎn)，曝光面積：150mmx150mm
更新時(shí)間:2025-05-12
ure-2000b 型紫外單面光刻機(jī)，中科院設(shè)計(jì)生產(chǎn)，曝光面積：100mmx100mm
更新時(shí)間:2025-05-12
ure-2000/35 型紫外單面光刻機(jī)，中科院設(shè)計(jì)生產(chǎn)，曝光面積：4 英寸 ，非常適合工廠（效率高，操作傻瓜型，自動(dòng)化程度高）和高校教學(xué)科研 （可靠性好，演示方便） 。
更新時(shí)間:2025-05-12
芬蘭 picosun r-200標(biāo)準(zhǔn)型ald,為液體、氣體和固體化學(xué)物提供的更高級(jí)的，易更換的前驅(qū)源系統(tǒng)，能夠在晶圓、3d樣品和各種納米特性的樣品上生長(zhǎng)顆粒度最小的薄膜層。 在最基本的picosun™ r系列配置中可以選擇多個(gè)獨(dú)立的，完全分離的源入口匹配多種類型的前驅(qū)源。
更新時(shí)間:2025-05-12
日本jeol熱場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡 jsm-7900f，它繼承了上一代廣獲好評(píng)的性能如高的空間分辨率、高穩(wěn)定性、多種功能等的同時(shí)，操作性能大簡(jiǎn)單化。該設(shè)備不依賴操作者的技能，始終能夠發(fā)揮其佳性能。
更新時(shí)間:2025-05-12
日本jeol熱場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡 jsm-7900f，它繼承了上一代廣獲好評(píng)的性能如高的空間分辨率、高穩(wěn)定性、多種功能等的同時(shí)，操作性能大簡(jiǎn)單化。該設(shè)備不依賴操作者的技能，始終能夠發(fā)揮其佳性能。
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日本jeol能譜儀jed-2300/2300f analysis station是以“圖像觀察和分析“ 為基本理念的tem/eds集成系統(tǒng)。通過(guò)與sem的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)樣品臺(tái)聯(lián)動(dòng)使用，可以進(jìn)行大范圍的觀察和分析。 eds通過(guò)檢測(cè)被電子束激發(fā)出的樣品特征x射線，確定樣品含有的元素及成分比，可以進(jìn)行微區(qū)的點(diǎn)分析、線分析及面分析。
更新時(shí)間:2025-05-12
日本jeol掃描電子顯微鏡 jsm-it500，是jeol intouchscope系列的新機(jī)型。 從設(shè)定視野到生成報(bào)告，用于分析的軟件整合于一體，加快了作業(yè)速度！是一款無(wú)縫操作，使用更加方便的掃描電子顯微鏡。
更新時(shí)間:2025-05-12
日本jeol 熱場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡 jsm-7200f，jsm-7200f的電子光學(xué)系統(tǒng)應(yīng)用了日本電子旗艦機(jī)-jsm-7800f prime采用的浸沒(méi)式肖特基電子槍技術(shù)，標(biāo)配了ttls系統(tǒng)（through-the-lens system），因此無(wú)論是在高/低加速電壓下，空間分辨率都比傳統(tǒng)機(jī)型有了很大的提升。
更新時(shí)間:2025-05-12
新一代超高精度電子束光刻機(jī) p21，樣品尺寸覆蓋 2/4/6 英寸晶圓，超高寫(xiě)場(chǎng)拼接精度，電子束閉環(huán)控制系統(tǒng)，束流的時(shí)間及空間穩(wěn)定性高，高性能 30 kv 電子束光刻機(jī)。
更新時(shí)間:2025-05-12
opticool超精準(zhǔn)全開(kāi)放強(qiáng)磁場(chǎng)低溫光學(xué)研究平臺(tái)，系統(tǒng)擁有3.8英寸超大樣品腔、雙錐型劈裂磁體，可在超大空間為您提供高達(dá)±7t的磁場(chǎng)。多達(dá)7個(gè)側(cè)面窗口、1個(gè)頂部超大窗口方便光線由各個(gè)方向引入樣品腔，高度集成式的設(shè)計(jì)讓您的樣品在擁有低溫磁場(chǎng)的同時(shí)擺脫大型低溫系統(tǒng)的各種束縛。
更新時(shí)間:2025-05-12
attoafm/attomfm/attoshpm 低溫強(qiáng)磁場(chǎng)原子力/磁力/掃描霍爾顯微鏡，采用模塊化的設(shè)計(jì)。利用標(biāo)配的控制器和樣品掃描臺(tái)，用戶僅需要更換掃描頭和對(duì)應(yīng)的光學(xué)部件即可實(shí)現(xiàn)不同功能之間的切換。
更新時(shí)間:2025-05-12
德國(guó)sentech光伏測(cè)量?jī)xmdpmap，靈活的自動(dòng)掃描系統(tǒng)，是專為半導(dǎo)體晶片或部分工藝過(guò)的晶片的多功能、非接觸和少子壽命測(cè)量而設(shè)計(jì)的。mdpmap能夠連續(xù)地改變激發(fā)脈沖寬度，從非常短的脈沖(100ns)到穩(wěn)態(tài)測(cè)量(幾ms)，研究不同深度的缺陷動(dòng)力學(xué)和少子壽命特性。直觀的繪圖軟件適用于有效的常規(guī)測(cè)量以及復(fù)雜的研發(fā)應(yīng)用。
更新時(shí)間:2025-05-12
奧地利smartnil紫外納米壓印：evg7200，leds 制作，led pss納米壓印工藝，led納米透鏡陣列；微流體學(xué)；芯片實(shí)驗(yàn)室；抗反射層； 納米壓印光柵； 蓮花效應(yīng)；光子帶隙；光學(xué)及通訊：光晶體，激光器件；生物技術(shù)解決方案：醫(yī)藥分析，血液分析，細(xì)胞生長(zhǎng)。
更新時(shí)間:2025-05-12
evg610是一款非常靈活的適用于研發(fā)和小批量試產(chǎn)的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，可處理大200mm之內(nèi)的各種規(guī)格的晶片。evg610支持各種標(biāo)準(zhǔn)的光刻工藝，例如：真空、軟、硬接觸和接近曝光；也支持其他特殊的應(yīng)用，如鍵合對(duì)準(zhǔn)、納米壓印光刻、微接觸印刷等。系統(tǒng)中的工具更換非常簡(jiǎn)便快捷，每次更換都可在一分鐘之內(nèi)完成，而不需要門(mén)的工程人員和培訓(xùn)，非常適合大學(xué)、研究所的科研實(shí)驗(yàn)和小批量生產(chǎn)。
更新時(shí)間:2025-05-12
奧地利evg鍵合機(jī)：evg510，是一款半自動(dòng)晶圓鍵合系統(tǒng)，可以處理大200mm的晶圓，非常適合于研發(fā)和小批量生產(chǎn)。evg510提供了除上料和下料外的全自動(dòng)工藝處理過(guò)程，并配備了業(yè)界公認(rèn)的優(yōu)異的加熱和壓力均勻性系統(tǒng)。evg510模塊化的鍵合腔室設(shè)計(jì)可用于150mm或200mm晶圓鍵合，并且其工藝菜單與evg其他更高系列的鍵合機(jī)相匹配，可以方便的實(shí)現(xiàn)從實(shí)驗(yàn)線到量產(chǎn)線的工藝復(fù)制。
更新時(shí)間:2025-05-12
evg520is是一款設(shè)計(jì)用于小批量生產(chǎn)的半自動(dòng)晶圓鍵合系統(tǒng)， 大硅片允許尺寸為200mm。集evg新技術(shù)及客戶反饋基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)的evg520is，配備了evg公司的利吸盤(pán)設(shè)計(jì)---這種吸盤(pán)可以提供對(duì)稱的快速加熱和冷卻功能。evg520is的很多優(yōu)勢(shì)特性，如獨(dú)立的上下盤(pán)加熱和高壓鍵合工藝、高度的材料和工藝靈活性等，都幫助客戶很好的實(shí)施鍵合研究和生產(chǎn)。
更新時(shí)間:2025-05-12
evg620 單面/雙面光刻機(jī)(帶有壓印功能），evg620 是一款非常靈活和可靠的光刻設(shè)備，可配置為半自動(dòng)也可以為全自動(dòng)形式。evg620 既可以用作雙面光刻機(jī)也可以用作 150mm 硅片的精確對(duì)準(zhǔn)設(shè)備；既可以用作研發(fā)設(shè)備，也可以用作量產(chǎn)設(shè)備。精密的契型補(bǔ)償
更新時(shí)間:2025-05-12
ne-550z是高真空l(shuí)oad-lock式干法等離子刻蝕裝置，適用于半導(dǎo)體材料、金屬材料等的精細(xì)刻蝕
更新時(shí)間:2025-05-12
返回式真空濺射裝置 cs-200z，高真空交直流濺射設(shè)備.適用于金屬、合金 、陶瓷材料的高品質(zhì)濺射成膜.
更新時(shí)間:2025-05-12
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