光學(xué)平臺產(chǎn)品及廠家
美coherent excistarxs準(zhǔn)分子激光器超緊湊、輕型、高度可靠的紫外線光源
更新時間:2025-05-12
nanoarch p130是科研3d打印系統(tǒng)，擁有2μm的超高打印精度和5μm的超低打印層厚，從而實現(xiàn)超高精度的樣件制作，非常適合高校和研究機構(gòu)用于科學(xué)研究及應(yīng)用創(chuàng)新。
更新時間:2025-05-12
the oai solar energy meter measures solar simulator irradiance in "sun" units, for example, with one sun equaling 1000 w/m2 at 25 °c at airmass 1.5 global conditions.
更新時間:2025-05-12
30型uv光源是高效的，可用于各種應(yīng)用。光由橢圓形反射器收集并聚焦在積分/聚光透鏡陣列上，以在曝光平面產(chǎn)生均勻的照明。這種紫外光源提供多種光束尺寸，最大24英寸平方，輸出光譜范圍從220 nm到450 nm，使用適當(dāng)?shù)臒簦òǎ］敵龉β史秶鷱?00瓦到5千瓦。所有oai uv光源都易于配備快速更換過濾器組件，使用戶能夠輕松定制輸出光譜？蛇x配遠(yuǎn)程排氣風(fēng)扇。
更新時間:2025-05-12
oai 200型光刻機是一種具有成本效益的高性能掩模對準(zhǔn)器，采用經(jīng)過行業(yè)驗證的組件，使oai成為光刻設(shè)備行業(yè)的導(dǎo)者。 200型是臺式面罩對準(zhǔn)器，需要小的潔凈室空間。它為研發(fā)，或有限規(guī)模，試點生產(chǎn)提供了經(jīng)濟(jì)的替代方案。利用創(chuàng)新的空氣軸承/真空吸盤調(diào)平系統(tǒng)，襯底快速平穩(wěn)地平整，用于平行光掩模對準(zhǔn)和在接觸曝光期間在晶片上的均勻接觸。該系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)一微米分辨率和對準(zhǔn)精度。
更新時間:2025-05-12
2012sm型自動邊緣曝光系統(tǒng)為使用標(biāo)準(zhǔn)陰影掩模技術(shù)的邊緣珠去除提供了一種經(jīng)濟(jì)高效的方法。 設(shè)計用于容納8“到300mm的晶片，該工具具有自動foup裝載。 掩模和基材切換可以快速且容易地實現(xiàn)，從而增加該生產(chǎn)工具的通用性和高產(chǎn)量。
更新時間:2025-05-12
2012sm型自動邊緣曝光系統(tǒng)為使用標(biāo)準(zhǔn)陰影掩模技術(shù)的邊緣珠去除提供了一種經(jīng)濟(jì)高效的方法。 設(shè)計用于容納8“到300mm的晶片，該工具具有自動foup裝載。 掩模和基材切換可以快速且容易地實現(xiàn)，從而增加該生產(chǎn)工具的通用性和高產(chǎn)量。
更新時間:2025-05-12
兩種型號的2000型曝光系統(tǒng)包括uv光源，強度控制電源和機器人襯底處理子系統(tǒng)。 uv光源提供發(fā)散半角<2.0％的可調(diào)強度光束。電源從200w到2,000w。強度控制器傳感器直接連接到光源，用于精確的強度監(jiān)控。機器人襯底處理系統(tǒng)是微處理器控制的，并且可以被編程以適應(yīng)各種各樣的襯底尺寸。
更新時間:2025-05-12
oai 5000e型大面積掩光刻機是一種先進(jìn)的高性能，全自動掩模對準(zhǔn)器和曝光工具，可為大型平板應(yīng)用提供超精密，頂，亞微米對準(zhǔn)和分辨率。 其靈活的設(shè)計允許在各種基材（圓形或方形）上印刷高達(dá)300mm或20“×20”。 曝光系統(tǒng)兼容近，中，或深紫外范圍的光刻膠，并具有計算機控制的led顯微鏡照明，在不太理想的觀察環(huán)境中觀察。
更新時間:2025-05-12
phabler 100 紫外光刻機是一套低成本的光學(xué)曝光系統(tǒng)，但卻能獲得高分辨率的周期性結(jié)構(gòu)。同傳統(tǒng)的紫外曝光機類似，涂覆了光刻膠的晶片以接近方式放置在掩膜版下面，被紫外光束照射。由于eulitha公司擁有突破性的phable 曝光技術(shù)，在"phable"模式下，分辨率不再受到衍射的限制，從而曝光出亞微米的線性光柵和二維光柵（六角形和正方形），且曝光結(jié)果非常均勻，質(zhì)量很好。
更新時間:2025-05-12
raith 150 two可實現(xiàn)亞5nm的曝光結(jié)構(gòu)，可處理8”晶元及以下樣片。環(huán)境屏蔽罩保證了系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性，提高設(shè)備對實驗室環(huán)境的容忍度，即使在相對糟糕的實驗室環(huán)境下，也能保證系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運行。
更新時間:2025-05-12
raith 150 two可實現(xiàn)亞5nm的曝光結(jié)構(gòu)，可處理8”晶元及以下樣片。環(huán)境屏蔽罩保證了系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性，提高設(shè)備對實驗室環(huán)境的容忍度，即使在相對糟糕的實驗室環(huán)境下，也能保證系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運行。
更新時間:2025-05-12
德國raith voyager 新一代超高分辨率電子束光刻機,系統(tǒng)可實現(xiàn)8英寸樣品的高速曝光。系統(tǒng)的穩(wěn)定性是非常關(guān)鍵的指標(biāo)，可保證大面積均勻曝光。該系統(tǒng)外部采用環(huán)境屏蔽罩，即使在稍差的實驗室環(huán)境下，仍然能確保系統(tǒng)具有非常好的熱穩(wěn)定性，提高系統(tǒng)對外界環(huán)境的容忍度。
更新時間:2025-05-12
ebpg5150使用了155mm大小的樣品臺，采用跟ebpg5200一樣的通用光刻平臺設(shè)計，對電子束直寫應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。它可以載入不同大小的樣品,包括多片散片以及完整的硅片。
更新時間:2025-05-12
系統(tǒng)中集成了高精度的激光干涉工作臺，運動行程為50 x 50 x 25mm，xy方向定位精度為2nm，可以實現(xiàn)精確的拼接套刻，拼接套刻精度≤50nm。
更新時間:2025-05-12
瑞典 mycronic 掩膜版光刻機 fps6100，用于制作高精度掩膜版，廣泛用于半導(dǎo)體，tft-lcd，微電子等行業(yè)。
更新時間:2025-05-12
英國nanobean nb5 電子束光刻機,具有良好的穩(wěn)定性，平均正常運行時間超過93%.
更新時間:2025-05-12
minilock-phantom iii 具有預(yù)真空室的反應(yīng)離子刻蝕機。適用于單個基片或帶承片盤的基片(3” - 300mm尺寸)，為實驗室和試制線生產(chǎn)環(huán)境提供最先進(jìn)的刻蝕能力。它也具有多尺寸批量處理(4x3”; 3x4”; 7x2”)。系統(tǒng)有多達(dá)七種工藝氣體可以用于刻蝕各種薄膜，如氧化硅、氮化硅、多晶硅、鋁、砷化鎵、鉻、銅、磷化銦和鈦。
更新時間:2025-05-12
oracle iii由中央真空傳輸系統(tǒng)(cvt)、真空盒升降機和最多四個工藝反應(yīng)室構(gòu)成。這些工藝反應(yīng)室與中央負(fù)載鎖對接，既能夠以生產(chǎn)模式運行，也能夠作為單個系統(tǒng)獨立作業(yè)。 oracle iii是市場上最靈活的系統(tǒng)，既可以為實驗室環(huán)境進(jìn)行配置(使用單基片裝卸)，也可以為批量生產(chǎn)進(jìn)行配置(使用真空盒升降機進(jìn)行基片傳送)。
更新時間:2025-05-12
titan是一套用于半導(dǎo)體生產(chǎn)的十分緊湊、全自動化、帶預(yù)真空室的等離子系統(tǒng)。titan具有反應(yīng)離子刻蝕(rie)配置、高密度電感耦合等離子沉積(hdicp)或等離子增強型化學(xué)汽相沉積(pecvd)配置？蓪蝹基片或帶承片盤的基片(3”-300mm)進(jìn)行處理。它還具有多尺寸批量處理功能。價格適宜且占地面積小。
更新時間:2025-05-12
美國trion orion iii pecvd 薄膜沉積系統(tǒng)可以在緊湊的平臺上生產(chǎn)高品質(zhì)的薄膜。獨特的反應(yīng)器設(shè)計可以在在極低的功率生產(chǎn)具有優(yōu)異臺階覆蓋的低應(yīng)力薄膜。該系統(tǒng)可以滿足實驗室和中試生產(chǎn)環(huán)境中的所有安全，設(shè)施和工藝標(biāo)準(zhǔn)要求。
更新時間:2025-05-12
orion hdcvd 高密度氣相化學(xué)沉積系統(tǒng)采用高密度的化學(xué)氣相沉積技術(shù)，在惰性氣體進(jìn)入口安裝感應(yīng)線圈，周圍布置陶瓷管。射頻創(chuàng)建等離子體,通過氣體環(huán)在襯底表面附近引入揮發(fā)性氣體。當(dāng)惰性氣體與揮發(fā)性物質(zhì)結(jié)合時，會發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，然后在襯底表面沉積一層薄膜.
更新時間:2025-05-12
德zeiss sigma sem 電子束直寫儀,利用曝光抗蝕劑，采用電子束直接曝光，可在各種襯底材料表面直寫各種圖形，圖形結(jié)構(gòu)（小線寬為10mm），是研究材料在低維度、小尺寸下量子行為的重要工具。廣泛應(yīng)用于納米器件，光子晶體，低維半導(dǎo)體等沿域。
更新時間:2025-05-12
俄羅斯 optosystem 準(zhǔn)分子激光器：cl7000, 準(zhǔn)分子激光器是傳統(tǒng)的氣體激光器，由于波長短（紫外），短脈沖寬度，高脈沖能量，是激光器家族不可替代的品種！應(yīng)用上，準(zhǔn)分子激光器在脈沖沉積鍍膜（pld），光纖光柵刻寫，lasik，光刻，微納加工等方面占主導(dǎo)的地位。
更新時間:2025-05-12
denton 磁控濺射及電子束蒸發(fā)薄膜沉積平臺,提供了薄膜工業(yè)中廣泛的配置和沉積模式:電子束蒸發(fā)、電阻蒸發(fā)、濺射、離子鍍和離子輔助沉積。
更新時間:2025-05-12
法plassys超高真空多腔體電子束鍍膜機meb550sl3，可以用于沉積ti, ni, au, cr, al, al2o3等金屬及氧化物薄膜，目全球主要超導(dǎo)量子實驗室均使用該設(shè)備制備超導(dǎo)al結(jié)（量子比特和約瑟夫森結(jié)）和量子器件，可以制備大面積、高度穩(wěn)定性和可重復(fù)性超導(dǎo)結(jié)。
更新時間:2025-05-12
美arradiance 臺式三維原子沉積系統(tǒng)ald，在小巧的機身（78 x56 x28 cm）中集成了原子層沉積所需的所有功能，可最多容納9片8英寸基片同時沉積。gemstar xt全系配備熱壁，結(jié)合前驅(qū)體瓶加熱，管路加熱，橫向噴頭等設(shè)計，使溫度均勻性高達(dá)99.9%，氣流對溫度影響減少到0.03%以下。
更新時間:2025-05-12
德國 sentech pe-ald 等離子體增強--原子層沉積系統(tǒng)，是在3d結(jié)構(gòu)上逐層沉積超薄薄膜的工藝方法。薄膜厚度和特性的精確控制通過在工藝循環(huán)過程中在真空腔室分步加入置物實現(xiàn)。等離子增強原子層沉積（peald）是用等離子化的氣態(tài)原子替代水作為氧化物來增強ald性能的先進(jìn)方法。
更新時間:2025-05-12
德國 sentech si 500 d 等離子沉積機，具有特殊的等離子體特性，如高密度、低離子能量和介質(zhì)膜的低壓沉積。
更新時間:2025-05-12
德國sentech pecvd si 500 ppd等離子沉積機,。它是基于平面電容耦合等離子體源，真空加載鎖定，控溫基片電，可選配低頻混頻，全控?zé)o油真空系統(tǒng)采用先進(jìn)的森泰克控制軟件，采用遠(yuǎn)程現(xiàn)場總線技術(shù)，具有非常友好的通用用戶界面用于操作si 500 ppd的用戶界面。
更新時間:2025-05-12
pecvd depolab 200 等離子體沉積機,將平行板等離子體源設(shè)計與直接負(fù)載相結(jié)合,可以升為更大的抽油機、低頻電源和額外的燃?xì)夤艿馈?/div>
更新時間:2025-05-12
sentech etchlab200 經(jīng)濟(jì)型反應(yīng)離子刻蝕機(可升級)，包括抽速更大的真空單元、預(yù)真空室及附加氣路等。
更新時間:2025-05-12
etchlab 200 rie等離子體蝕刻機是一種將rie平行板電設(shè)計的優(yōu)點與直接負(fù)載的低成本設(shè)計相結(jié)合的直接負(fù)載等離子體蝕刻機系列。etchlab 200具有簡單快速的樣品加載功能，從零件到200a‰mm或300a‰mm直徑的晶圓片直接加載到電或載體上。
更新時間:2025-05-12
entech rie si591 平板電容式反應(yīng)離子刻蝕機，兼容多種氯基或氟基刻蝕工藝；小型化和高度模塊化；sentech控制軟件
更新時間:2025-05-12
德國sentech icp-rie si 500 等離子刻蝕機，代表了電感耦合等離子體(icp)加工在研究和生產(chǎn)上的先優(yōu)勢。它以ptsa等離子體源、動態(tài)控溫基片電、全控真空系統(tǒng)、先進(jìn)的sentech 控制軟件為基礎(chǔ)，采用遠(yuǎn)程現(xiàn)場總線技術(shù)，為操作si 500提供了非常人性化的通用用戶界面。靈活性和模塊化是si 500的設(shè)計特點。
更新時間:2025-05-12
sentech si 500 電感耦合等離子體icp干法刻蝕系統(tǒng)，感應(yīng)耦合等離子刻蝕機臺，低損傷納米結(jié)構(gòu)刻蝕，高速率刻蝕，內(nèi)置icp等離子源，動態(tài)溫控。
更新時間:2025-05-12
ure-2000系列紫外單面光刻機，主要型號有：ure-2000a，ure-2000b，ure-20000/35,ure-20000/35a，ure-2000/25,ure-2000/17.由中國科學(xué)院制造生產(chǎn)。
更新時間:2025-05-12
ure-2000/35 型紫外單面光刻機，中科院設(shè)計生產(chǎn)，曝光面積：4 英寸 ，非常適合工廠（效率高，操作傻瓜型，自動化程度高）和高校教學(xué)科研 （可靠性好，演示方便） 。
更新時間:2025-05-12
芬蘭 picosun r-200標(biāo)準(zhǔn)型ald,為液體、氣體和固體化學(xué)物提供的更高級的，易更換的前驅(qū)源系統(tǒng)，能夠在晶圓、3d樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度最小的薄膜層。 在最基本的picosun™ r系列配置中可以選擇多個獨立的，完全分離的源入口匹配多種類型的前驅(qū)源。
更新時間:2025-05-12
日本jeol熱場發(fā)射掃描電子顯微鏡 jsm-7900f，它繼承了上一代廣獲好評的性能如高的空間分辨率、高穩(wěn)定性、多種功能等的同時，操作性能大簡單化。該設(shè)備不依賴操作者的技能，始終能夠發(fā)揮其佳性能。
更新時間:2025-05-12
日本jeol熱場發(fā)射掃描電子顯微鏡 jsm-7900f，它繼承了上一代廣獲好評的性能如高的空間分辨率、高穩(wěn)定性、多種功能等的同時，操作性能大簡單化。該設(shè)備不依賴操作者的技能，始終能夠發(fā)揮其佳性能。
更新時間:2025-05-12
日本jeol能譜儀jed-2300/2300f analysis station是以“圖像觀察和分析“ 為基本理念的tem/eds集成系統(tǒng)。通過與sem的馬達(dá)驅(qū)動樣品臺聯(lián)動使用，可以進(jìn)行大范圍的觀察和分析。 eds通過檢測被電子束激發(fā)出的樣品特征x射線，確定樣品含有的元素及成分比，可以進(jìn)行微區(qū)的點分析、線分析及面分析。
更新時間:2025-05-12
日本jeol掃描電子顯微鏡 jsm-it500，是jeol intouchscope系列的新機型。 從設(shè)定視野到生成報告，用于分析的軟件整合于一體，加快了作業(yè)速度！是一款無縫操作，使用更加方便的掃描電子顯微鏡。
更新時間:2025-05-12
日本jeol 熱場發(fā)射掃描電子顯微鏡 jsm-7200f，jsm-7200f的電子光學(xué)系統(tǒng)應(yīng)用了日本電子旗艦機-jsm-7800f prime采用的浸沒式肖特基電子槍技術(shù)，標(biāo)配了ttls系統(tǒng)（through-the-lens system），因此無論是在高/低加速電壓下，空間分辨率都比傳統(tǒng)機型有了很大的提升。
更新時間:2025-05-12
新一代超高精度電子束光刻機 p21，樣品尺寸覆蓋 2/4/6 英寸晶圓，超高寫場拼接精度，電子束閉環(huán)控制系統(tǒng)，束流的時間及空間穩(wěn)定性高，高性能 30 kv 電子束光刻機。
更新時間:2025-05-12
最新產(chǎn)品
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