JK9610AMOS管測(cè)試儀
MOS管測(cè)試儀 MOS管分選儀 MOS管測(cè)試儀價(jià)格 MOS管測(cè)試儀參數(shù) MOS管測(cè)試儀 MOS管測(cè)試儀銷售 MOS管測(cè)試儀報(bào)價(jià) 深圳MOS管測(cè)試儀 上海MOS管測(cè)試儀 常州MOS管測(cè)試儀 一、概述
JK9610A型MOS管測(cè)試儀，是一種新穎的全數(shù)字顯示式功率場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)測(cè)試裝置，可用于標(biāo)稱 電流約在2-85A，功率在300W以內(nèi)的N溝導(dǎo)和P溝導(dǎo)功率場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)的測(cè)試。它可以測(cè)量擊穿電VDSS、柵極開啟電壓VGS（th）和放大特性參數(shù)跨導(dǎo)Gfs，尤其是跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試電流可以達(dá)到50A，由于采 用脈沖電流測(cè)試法，即使在大電流測(cè)試時(shí)也不會(huì)對(duì)被測(cè)器件造成任何損壞，更可以在大電流狀態(tài)下對(duì)場(chǎng)效 應(yīng)管進(jìn)行參數(shù)一致性的測(cè)試（配對(duì)）；儀器可用于同等電流等級(jí)的IGBT參數(shù)的測(cè)量；儀器還是一臺(tái)性 能十分的電子元器件耐壓測(cè)試裝置，其測(cè)試耐壓時(shí)的漏電流有1mA、250uA、25uA 三擋可以選擇。儀器 主要用于功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT的質(zhì)量檢驗(yàn)、參數(shù)的配對(duì)及其它電子元器件的耐壓測(cè)試之用。儀器分N溝導(dǎo)型 測(cè)試儀和P溝導(dǎo)型測(cè)試儀兩種。儀器外型美觀、性能穩(wěn)定、測(cè)量、操作簡單、使用安全方便。
二、主要技術(shù)性能
1、擊穿電壓VDSS測(cè)量范圍： 0—1999V， 精度：≤2.5% 。
2、IDSS可分三擋選擇： 1mA、250uA、25uA 。
3、柵極開啟電壓VGS（th） 測(cè)量范圍： 0—10V。 精度：≤5% 。
4、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試電流Idm：不小于1—50 A連續(xù)可調(diào)， 精度：≤10 % 。
5、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試范圍：1—100 。
三、主要測(cè)試功能
1、MOS管的擊穿電壓VDSS、柵極開啟電壓VGS（th）、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。
2、IGBT的擊穿電壓V（BR）ces、柵極開啟電壓VGE（th）、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。
3、MOS管和IGBT在50A以下的任意電流狀態(tài)下一致性的測(cè)試，可用于配對(duì)。
4、對(duì)其它更大電流和MOS管及IGBT的測(cè)試：（見下面介紹）。
5、各類晶體三極管、二極管、穩(wěn)壓管擊穿電壓的測(cè)試。
6、壓敏電阻電壓的測(cè)試等。
四、測(cè)試盒與測(cè)試線
1、利用測(cè)試盒可以方便的測(cè)試TO-126、TO-220、TOP-3等類似封裝的功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT。
2、利用測(cè)試線可以測(cè)量其它金屬類、模塊類等封裝形式的功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT。
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JK9610AJK9610A場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀(MOS管測(cè)試儀)
| 型號(hào) | | 擊穿電壓 Vdss | 開啟電壓 Vgs（th） | 跨導(dǎo)S Gfs | Gfs 測(cè)試電流 | 標(biāo)稱電流 ID | 標(biāo)稱功率 PD | 封裝 |
| IRF640 | 基本參數(shù) | 200V | 2-4V | ≥6.8 | 11A | 18A | 150W | TO-220 |
| | 實(shí)測(cè)參數(shù) | 225V | 3.0V | 12 | 11A | | | |
| IRF1010 | 基本參數(shù) | 60V | 2-4V | ≥69 | 50A | 84A | 200W | TO-220 |
| | 實(shí)測(cè)參數(shù) | 66V | 3.2V | 67 | 50A | | | |
| IRF3205 | 基本參數(shù) | 55V | 2-4V | ≥44 | 62A | 110A | 200W | TO-220 |
| | 實(shí)測(cè)參數(shù) | 60V | 2.9V | 68 | 60A | | | |
| FQP70N08 | 基本參數(shù) | 80V | 2-4V | 41 | 35A | 70A | 155W | TO-220 |
| | 實(shí)測(cè)參數(shù) | 86V | 3.2V | 46 | 35A | | | |
| 75NF75 | 基本參數(shù) | 75V | 2-4V | 20 | 40A | 80A | 300W | TO-220 |
| | 實(shí)測(cè)參數(shù) | 81V | 3.6V | 52 | 40A | | | |
| IRFP064 | 基本參數(shù) | 55V | 2-4V | ≥42 | 59A | 110A | 200W | TO-3P |
| | 實(shí)測(cè)參數(shù) | 67V | 2.5V | 57 | 60A | | | |
| 2SK1120 | 基本參數(shù) | 1000V | 2.5-5V | 4 | 4A | 8A | 150W | TO-3P |
| | 實(shí)測(cè)參數(shù) | 1086V | 2.3V | 5 | 4A | | | |
| G160N60 | 基本參數(shù) | 600V | 3.5-6.5V | * | 80A | 160A | 250W | TO-247 |
| | 實(shí)測(cè)參數(shù) | 626V | 3.9V | 35 | 60A | | | |
| H40T120 | 基本參數(shù) | 1200V | 5-6.5V | 21 | 40A | 75A | 270W | TO-247 |
| | 實(shí)測(cè)參數(shù) | 1390V | 5.7V | 20 | 40A | | | |
| 60N170D | 基本參數(shù) | 1700V | 3.5-7.5V | | | 60A | 200W | TO-247 |
| | 實(shí)測(cè)參數(shù) | 1798V | 4.8V | 30 | 60A | |
JK9610AMOS管測(cè)試盒
QT2,晶體管圖示儀,二極管測(cè)試儀,MOS管測(cè)試儀,IGBT測(cè)試儀
說明書下載
電路圖紙下載
- QT2型晶體管特性圖示儀可根據(jù)需要測(cè)量半導(dǎo)體二極管、三極管的低頻直流參數(shù)。
- 最大集電極電流可達(dá)50A，基本滿足500W以下的半導(dǎo)體管的測(cè)試。
- 具備高壓測(cè)試能力，可對(duì)3KV（5KV）\\以下的半導(dǎo)體管進(jìn)行擊穿電壓及反向漏電流測(cè)試，其測(cè)試電流靈敏度可達(dá)到0.5uA/度。
- 基極階梯信號(hào)具有脈沖階梯輸出，可測(cè)量二次擊穿特性。
集電極掃描信號(hào) （輸出電壓范圍/電流容量）三極管和二極管 0～10V / 50A （脈沖階梯） 20A（平均值） 0～50V / 10A （平均值） 0～100V / 5A （平均值） 0～500V / 0.5A （平均值）二極管高壓測(cè)試 0～5KV（3KV） / 5mA （最大）
基極階梯信號(hào)
- 階梯電流:1uA～200mA/級(jí)，分17檔
- 階梯電壓:0.05～1V/級(jí)，分5檔
- 階梯波形:正常（100%），脈沖（10～40%）
Y軸偏轉(zhuǎn)系數(shù)
- 集電極電流:1uA～5A/度，分21檔
- 二極管電流:1～500uA/div，分9檔
- 集電極及二極管電流倍率:×0.5
X軸偏轉(zhuǎn)系數(shù)
- 集電極電壓:10mV～50V/度，分12檔
- 二極管電流:100～500V/度，分3檔
- 基電極電壓:10mV～1V/度，分7檔
一般性能
- 顯示面10×10div（1div=0.8cm）
- 視在功率 約80VA
- 約300VA（最大功率）
- 外形尺寸 30×40×52cm
- 重量 30kg
反向擊穿電壓測(cè)試
- VCBO 集電極 - 基極 （發(fā)射極開路）
- VEBO 發(fā)射極 - 基極 （集電極開路）
- VCEO 集電極 - 發(fā)射極 （基極開路）
- VCER 集電極 - 發(fā)射極 （基極與發(fā)射極間電阻連接）
- VCES 集電極 - 發(fā)射極 （基極與發(fā)射極短路）
各種特性曲線
- VCE - IC 共發(fā)射極 （基極信號(hào)為變量）
- IB - IC 共發(fā)射極
- VBE - IB 共發(fā)射極
- VBE - IO 共發(fā)射極
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