威格士VICKERS電磁閥詳細(xì)說明: 威格士VICKERS電磁閥
電磁閥 DG4V-3-2N-MUH7-60
DG4V-3-2C-MUH7-60
DG4V-3-6C-MUH7-60
DG4V-3-2CA-MUH7-60
DG5V-7-6CA-MUH5-40
DG5S-H8-OC-2-S-M-U-H-50
DG4V-3-OC-VM-U1-H7-60
電磁換向閥SU13-10-CM-U-240AGH
DG4V-5-2NJ-VM-U-H5-40
SV12-10-CM-0-240AGH
DG4V-3-2A-M-U-H7-60
DG4V-5-6CJ-VM-U-H6-20
DG4V-5-2B-M-U-H6-20
DG5V-7-2A-M-U-H5-40
DG5X-H8-521C-2-M-U-H5-50
CG5V-8CW-OF-M-U-H5-10
DGMC2-5-AT-GW-BT-GW
比例閥 KCG3-L25UD-Z-MV-HI-10
KCG3-L100D-Z-MC-HI-10
比例換向閥DPZO-T-05H
插入閥 CVC-25-U-B29-W-250-10-Z108APO
CVI-25-D11-2-L-10-EN106
CVI-25-D11-2-L-10-10
CVI-25-D10-2-H-30
CVC-25-25-C3-B29-W-250-10
單向閥 C5G-825
CVCS25VB2910
CVCIS25D105L44
CVCI25D202H10
RVP16-OB
CV1-16P-0-5
單向節(jié)流閥 DGMPN-3-Y-AZW-BZW-41
DRVPB-1-10
液控單向閥DGMPC3 ABK BAK41
DGPC-08-Y-50
減壓閥 DGMX2-3-PP-CW-S-40
XG2V-6FW-10
DGMX2-3-PP-FW-10
XG2V-8FW-10
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UVTest紫外冷凝老化試驗(yàn)箱
美國Atlas紫外線老化試驗(yàn)箱 型號(hào):UV-TEST (帶噴淋裝置)
一.主要功能:
可模擬自然氣候中的紫外、雨淋、高溫、高濕、凝露、黑暗等環(huán)境條件,通過重現(xiàn)這些條件,合并成一個(gè)循環(huán),并讓它自動(dòng)執(zhí)行完成循環(huán)次數(shù)。這就是紫外線老化試驗(yàn)箱的工作原理。
在此過程中,UV-TEST可對(duì)燈管幅照度、黑板溫度、水槽溫度、噴淋狀態(tài)進(jìn)行自動(dòng)監(jiān)控。
符合國際測(cè)試標(biāo)準(zhǔn):ASTM D4329、D499、D4587、D5208、G154、G53。
IS0 4892-3、ISO 11507;EN534;EN 1062-4, BS 2782;JIS D0205;SAE J2020
以及GB 所有現(xiàn)行紫外線老化實(shí)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)
二.分項(xiàng)介紹
1.光源:8支額定功率為40瓦的紫外線熒光燈管,分布在機(jī)器的兩面,每面各4支。有UVA340和UVB313供用戶選擇配置,UVA340燈管的發(fā)光光譜能量主要集中在340nm波長處,UVB313燈管的發(fā)光光譜能量主要集中在313nm波長附近。燈管使用壽命可在1000小時(shí)以上,具體情況要看輻照度的設(shè)定高低而定.
2. 中央控制器:集成化的大容量可編程控制器,西門子高清晰度觸摸屏顯示器,在一個(gè)屏幕上實(shí)現(xiàn)人機(jī)對(duì)話和所有參數(shù)(輻照強(qiáng)度、明暗周期、試驗(yàn)時(shí)間、黑板溫度等)\\\\程序的設(shè)置與輸出,菜單式可編程控制和調(diào)用,其中4個(gè)標(biāo)準(zhǔn)老化程序程序出廠時(shí)已預(yù)設(shè)(用戶可修改),2個(gè)供用戶自編,試驗(yàn)結(jié)束后有聲音提示。
特點(diǎn):已徹底改變了原來的多窗口、分散型參數(shù)設(shè)置和控制的低級(jí)控制方式,進(jìn)步為中央集成式控制方式。另外,機(jī)器還提供了人工控制功能,用于機(jī)器校準(zhǔn)和調(diào)試。
3. 輻照度監(jiān)控(用于313nm和340nm燈管):定量閉環(huán)控制,采用SmartLightTM輻照監(jiān)控裝置,有4個(gè)光照強(qiáng)度傳感器,每個(gè)傳感器分別監(jiān)測(cè)二根燈管,并通過單獨(dú)的電路閉環(huán)控制燈管輸出恒定,控制更精確,提高了輻照強(qiáng)度的均勻度,延長了燈管的使用時(shí)間,節(jié)省成本。
輻照度設(shè)定范圍:最高1.35 W/m2(UVA);1.10 W/m2(UVB),實(shí)際取決于燈管的情況。
輻照度均勻度:≤4%(在樣品表面處)
當(dāng)輻照強(qiáng)度無法維持在設(shè)定值,機(jī)器會(huì)報(bào)警提示更換何處的兩根燈管。
特點(diǎn):4個(gè)光照強(qiáng)度傳感器均裝載于試驗(yàn)箱體的外部,只有傳感器前端伸入試驗(yàn)箱內(nèi),通過其前端的特別玻璃光通道檢測(cè)光強(qiáng),良好的密封性能使整個(gè)傳感器的電路部分不受箱體內(nèi)溫度、濕度及噴淋水等惡劣環(huán)境的影響,保證了測(cè)試過程的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。
4. 黑板溫度監(jiān)控:UV-TEST采用標(biāo)準(zhǔn)的黑板溫度傳感器(Pt-100),精確控制測(cè)試過程的樣品表面溫度。
黑板溫度設(shè)定范圍: BPT 40-110℃;BST 40-120℃,但機(jī)器內(nèi)部的溫度保護(hù)裝置的實(shí)際最高限溫為93℃±10%。
黑板溫度控制精度: ±2℃,黑板溫度傳感器為易耗品,需要經(jīng)常擦拭,其表面漆材在一定時(shí)間后可能會(huì)剝落,影響控制精度,所以如發(fā)覺顏色有明顯變化時(shí)需更換,具體時(shí)間視使用情況而定,一般為二年左右。
5. 水槽溫度監(jiān)控:在循環(huán)測(cè)試過程中,有一個(gè)測(cè)試段是黑暗凝露過程,它需要箱體內(nèi)能產(chǎn)生較高溫度的飽和水蒸氣,當(dāng)水蒸氣遇到相對(duì)較冷的樣板表面時(shí),會(huì)在樣板表面凝結(jié)露水。
水槽位于箱體下部,內(nèi)置電加熱器。
水槽溫度控制范圍:30-60℃
6. 噴淋狀態(tài)監(jiān)控:機(jī)器配置了噴淋裝置,噴淋裝置模擬下雨時(shí)的溫度劇變和雨水侵蝕,共有12個(gè)噴嘴,噴灑均勻;在什么時(shí)候下,下多長時(shí)間都由客戶在老化程序中時(shí)自由設(shè)置。
用戶需提供有壓力的去離子水。
7. 安全防護(hù)裝置:
(1) 雙重防護(hù)門鎖(硬件與軟件):如果燈管在亮?xí)r,箱體的門一旦被打開,機(jī)器將自動(dòng)切斷燈管供電,并自動(dòng)進(jìn)入平衡狀態(tài)冷卻2分鐘,以免人體受到傷害,安全門鎖符合IEC047-5-1安全保護(hù)要求。
(2) 箱內(nèi)溫度超溫保護(hù):當(dāng)箱內(nèi)溫度超過93℃±10%時(shí),機(jī)器會(huì)自動(dòng)切斷燈管和加熱器的電源供應(yīng),并進(jìn)入平衡狀態(tài)冷卻2分鐘。
(3) 水槽低水位報(bào)警,防止加熱器空焚。.
(4) 輻照度傳感器安裝位置如果不到位,機(jī)器會(huì)發(fā)出警示聲提醒。
(5) 程序執(zhí)行完畢,機(jī)器會(huì)進(jìn)入平衡狀態(tài)冷卻2分鐘,然后會(huì)發(fā)出提示音。
8. 標(biāo)準(zhǔn)樣品夾:
隨機(jī)配有23個(gè)(75x300mm/個(gè))或15個(gè)(100x300mm/個(gè))標(biāo)準(zhǔn)樣品夾,樣品的最大厚度可達(dá)20 mm,用戶在定貨時(shí)需選擇。樣品夾可直接裝載,不需要樣品架。另外,機(jī)器開門為下拉式,方便用戶在門上端擺放樣品夾。
9. 校準(zhǔn):
(1)。輻照強(qiáng)度校準(zhǔn):在啟動(dòng)校準(zhǔn)界面和系統(tǒng)穩(wěn)定后,利用一個(gè)自帶數(shù)字顯示的標(biāo)準(zhǔn)輻照傳感器測(cè)量輻照強(qiáng)度,再將準(zhǔn)確讀數(shù)輸入中央控制器,來逐個(gè)校正原來的4個(gè)輻照傳感器。校驗(yàn)周期為每4000小時(shí)或燈管更換后。
特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)輻照傳感器自帶數(shù)字顯示,而不借用機(jī)器內(nèi)部的顯示控制回路,這樣可避免因其電路漂移所帶來的影響。
(2)。黑板溫度傳感器校準(zhǔn):利用連接標(biāo)準(zhǔn)的校準(zhǔn)電阻,來校正整個(gè)溫度回路。校驗(yàn)周期為6個(gè)月。
(3)。水溫傳感器校準(zhǔn):同上。校驗(yàn)周期為6個(gè)月。
(4)。噴淋均勻性調(diào)節(jié):利用控制器的人工控制功能,在開門狀態(tài)下觀察噴淋狀況,從而加以調(diào)節(jié)或更換噴頭。調(diào)整周期為每年。
10.整機(jī)概況:
尺寸: 高1550mm, 長1350mm, 寬510mm
重量: 136kg
11.UV-TEST主機(jī)要求工作環(huán)境條件:
電源: 220V±5%,單相三線,50Hz,8A,要求10A慢熔保險(xiǎn)絲。
環(huán)境:20~30℃(ASTM G53推薦),0~80%RH,通風(fēng)良好,室內(nèi)環(huán)境清潔。
工作占地:234 x 353cm (含人員工作空間)
純水:去離子水壓力193Kpa左右,18.5℃,流量7升/分鐘,要求總不溶物含量<10ppm。
排水:主機(jī)附近的地板上需要有排水溝。
紫外線老化試驗(yàn)箱 冷凝老化試驗(yàn)箱 紫外加速老化試驗(yàn)箱 氙燈耐氣候試驗(yàn) 氙燈老化測(cè)試儀 氙燈老化試驗(yàn)機(jī) 紫外老化機(jī)、氙燈老化機(jī) 阿特拉斯老化試驗(yàn) 氙弧燈環(huán)境老化箱 日曬色牢度測(cè)試系統(tǒng) 水冷式氙燈老化儀 風(fēng)冷式氙燈老化儀 氣冷式氙燈老化儀老化試驗(yàn)機(jī) 亞太拉斯 atlas 冷熱沖擊試驗(yàn)箱 高低溫濕熱試驗(yàn)機(jī) 紫外光試驗(yàn)箱 步入式烘房 鹽霧腐蝕試驗(yàn)箱 試驗(yàn)箱 高低溫試驗(yàn)機(jī) 臭氧老化箱 經(jīng)濟(jì)性老化試驗(yàn)箱
標(biāo)準(zhǔn):AATCC TM16,AATCC TM16E-1998, AATCC TM169,ASTM D2565,ASTM D6695,ASTM E1596,ASTM G151,ASTM G155,FORD FLTM B0 116-01,GME 60292,GB/T1865,GB/T8427,GB/T13492,GB/T16422.2,GMW 3414TM,GMW14162,ISO 105-B02,ISO 105-B04,ISO105-B06,ISO3917,ISO4892-1,ISO4892-2,ISO11341,ISO12040,JASO M346,Marks & Spencer C9,Marks & Spencer C9A,MIL STD 810G(方法505.5),Peugot/Citroen D27 1389,Renault D47 1431,SAE J1885,SAE J1960,SAE J2412,SAE J2527,VDA 621-429,VDA 621-430,VDA75202,VW PV1303,VW PV1306,VW PV3929,VW PV3930
電壓擊穿試驗(yàn)儀-微機(jī)控制
GCDDJ-50Kv
滿足標(biāo)準(zhǔn):GB/T 1408-2006 絕緣材料電氣強(qiáng)度試驗(yàn)方法
GB/T1695-2005 硫化橡膠工頻電壓擊穿強(qiáng)度和耐電壓強(qiáng)度試驗(yàn)
GB/T3333 電纜紙工頻電壓擊穿試驗(yàn)方法
HG/T 3330絕緣漆漆膜擊穿強(qiáng)度測(cè)定法
GB/T 12656 電容器紙工頻電壓擊穿試驗(yàn)方法
ASTM D149 固體電絕緣材料在工業(yè)電源頻率下的介電擊穿電壓和介電強(qiáng)度的試驗(yàn)方法. … … …
一、適用范圍及功能
主要適用于固體絕緣材料(如:塑料、橡膠、層壓材料、薄膜、樹脂、云母、陶瓷、玻璃、絕緣漆等絕緣材料及絕緣件)在工頻電壓或直流電壓下?lián)舸⿵?qiáng)度和耐電壓的測(cè)試。
二、系統(tǒng)組成:
控制模組:本儀器由電腦上位機(jī)軟件控制,是我公司自主研發(fā)的全新第三代介電強(qiáng)度檢測(cè)儀器,本儀器核心控制系統(tǒng)是通過西門子PLC控制,數(shù)據(jù)采集部分由西門子數(shù)字量集成模塊完成,和電腦通訊數(shù)據(jù)采集由光電隔離線完成,有效解決試驗(yàn)過程中的抗干擾問題,電壓采集和電流采集由高精度傳感器完成。
調(diào)壓模組:本模組主要應(yīng)用于調(diào)壓,可以對(duì)升壓速率進(jìn)行調(diào)節(jié),有高壓歸零限位及高壓升壓限位。主要硬件組成有調(diào)壓器、電機(jī)等部件組成。軟件操作使用方便,能夠?qū)崟r(shí)顯示升壓曲線、泄露電流動(dòng)態(tài)曲線,同時(shí)升壓速率無可調(diào),可以根據(jù)自己的需要進(jìn)行升壓速率調(diào)節(jié),使升壓速率真正做到勻速、準(zhǔn)確,擊穿后自動(dòng)判停,自動(dòng)記錄測(cè)試結(jié)果,顯示試驗(yàn)數(shù)據(jù),判斷準(zhǔn)確,并可保存,分析,打印試驗(yàn)數(shù)據(jù)。
高壓模組:本模組主要是通過高壓發(fā)生器,使電壓從低壓按照設(shè)定的升壓速率進(jìn)行升壓,核心部件主要由變壓器及配套的抗干擾配件組成。
試驗(yàn)?zāi)=M:本部分主要有配套的試驗(yàn)電、試驗(yàn)油槽、試驗(yàn)支架組成,可根據(jù)用戶需要,在高溫試驗(yàn)環(huán)境中進(jìn)行。
二、軟件功能:
01、軟件平臺(tái):WINDOWS窗口操作平臺(tái),界面直觀,便于操作
02、曲線顯示:在實(shí)驗(yàn)過程中可以動(dòng)態(tài)顯示試驗(yàn)曲線
03、數(shù)據(jù)導(dǎo)出:可以對(duì)試驗(yàn)結(jié)果導(dǎo)入EXCEL表格
04、實(shí)驗(yàn)報(bào)告:可以人為設(shè)置報(bào)告名稱,并對(duì)實(shí)驗(yàn)報(bào)告進(jìn)行打印
05、試驗(yàn)方式:可以根據(jù)需求對(duì)直流試驗(yàn)和交流試驗(yàn)進(jìn)行靈活選擇
06、試驗(yàn)方法:可以根據(jù)需求自行選擇擊穿電壓、耐壓試驗(yàn)、梯度試驗(yàn)
07、參數(shù)設(shè)置:可以根據(jù)不同的試驗(yàn)方式及試驗(yàn)方法靈活設(shè)置所需的不同參數(shù)值
08、試樣設(shè)置:可對(duì)不同標(biāo)準(zhǔn)的試樣參數(shù)靈活設(shè)置
09、連續(xù)操作:連續(xù)操作試驗(yàn)時(shí),可直接在軟件里結(jié)束試驗(yàn),進(jìn)行二次試驗(yàn)
10、試驗(yàn)狀態(tài):軟件里實(shí)時(shí)顯示當(dāng)試驗(yàn)狀態(tài),如:試驗(yàn)門是否關(guān)閉,升壓指示、歸零復(fù)位指示等
技術(shù)要求:
01電氣容量5KVA10KVA20KVA
02輸出電壓AC/DC-20KVAC/DC-50KVAC/DC-100KV
03輸入電壓AC-220V/50HZAC-380V/50HZ
04升壓速率0.1KV/S-5KV/S可手動(dòng)設(shè)置
05升壓方式勻速升壓/梯度升壓/耐壓試驗(yàn)
06擊穿判停電壓判停/電流判停
07試驗(yàn)介質(zhì)空氣中試驗(yàn)/油浴中試驗(yàn)/高溫試驗(yàn)
08數(shù)據(jù)采集光電隔離線,抗干擾性強(qiáng)
09電壓精度≤1.5%
10泄露電流0-100mA傳感器量程
11電壓傳感器0-100V傳感器量程
12電規(guī)格片材電:φ25mm-2個(gè),φ75mm-1個(gè)可根據(jù)要求定制電
13試驗(yàn)放電電動(dòng)自動(dòng)放電
14 電升降手動(dòng)放置/自動(dòng)升降自動(dòng)升降為選配
15試驗(yàn)油槽長寬高-300mm*150mm*200mm槽內(nèi)有懸空架,方便更換試樣
16試驗(yàn)照明內(nèi)置照明燈
17試驗(yàn)排風(fēng)內(nèi)置排風(fēng)扇
18試驗(yàn)指示主機(jī)集成試驗(yàn)多色塔燈,指示試驗(yàn)狀態(tài)
19試驗(yàn)門氣動(dòng)桿試驗(yàn)門/滑動(dòng)門滑動(dòng)門為自動(dòng)升降電用
20安全防護(hù)超壓保護(hù)/過流保護(hù)/短路保護(hù)/漏電保護(hù)
21工作環(huán)境室溫,濕度≤65%
22主機(jī)尺寸長寬高-1600mm*850mm*1700mm
23試驗(yàn)空間尺寸長寬高-7500mm*600mm*800mm
24試驗(yàn)門觀察窗玻璃門尺寸-長寬800mm*300mm大視窗便于觀察
25設(shè)備重量約300KG
傳統(tǒng)型
傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)其內(nèi)存控制器位于主板芯片組北橋芯片內(nèi)部,CPU要與內(nèi)存進(jìn)行數(shù)據(jù)交換,需要經(jīng)過“CPU--北橋--內(nèi)存--北橋--CPU”5個(gè)步驟,在該模式下數(shù)據(jù)經(jīng)由多級(jí)傳輸,數(shù)據(jù)延遲顯然比較大從而影響計(jì)算機(jī)系統(tǒng)整體性能;
整合型
集成內(nèi)存控制器,就是在CPU的基板上內(nèi)置一個(gè)內(nèi)存控制器,先說說沒有內(nèi)存控制器時(shí)系統(tǒng)是如何工作的。26個(gè)數(shù)據(jù)A~Z,要傳送到CPU,這時(shí)候CPU就向北橋發(fā)出指令(因?yàn)?/span>內(nèi)存控制器是集成在北橋上,說所以要經(jīng)過北橋),內(nèi)存通過內(nèi)存控制器接受到了指令,這個(gè)指令就是把內(nèi)存上b單元的A~Z數(shù)據(jù)傳送到CPU,內(nèi)存這個(gè)時(shí)候開始取數(shù)據(jù),也就是平常所說的尋址。當(dāng)內(nèi)存找到了這個(gè)數(shù)據(jù),而這26個(gè)數(shù)據(jù)每個(gè)數(shù)據(jù)為500MB,所有數(shù)據(jù)總和
就約為12GB,假設(shè)內(nèi)存為雙通道R2 800,數(shù)據(jù)傳輸率就為800MHZ乘以128BIT除以8比特每字節(jié)=12GB每秒,通過分析,認(rèn)為只需一秒就能傳送到CPU,此時(shí)的數(shù)據(jù)在一秒的時(shí)間內(nèi)只傳送到了北橋,內(nèi)存控制器在北橋,在北橋的數(shù)據(jù)如何傳送到CPU呢,這就要通過FSB前端總線了,假設(shè)FSB的頻率為800MHZ,那么數(shù)據(jù)傳輸率就為800MHZ乘以64BIT除以8比特每秒=6.4GB每秒,從北橋到CPU要2秒,所以數(shù)據(jù)傳送到CPU的總時(shí)間為3秒,接下來再來看看CPU集成內(nèi)存控制器的時(shí)候系統(tǒng)是如何工作的;數(shù)據(jù)從內(nèi)存?zhèn)鬏數(shù)娇刂破骱,同樣?/span>1秒,所不同的是這個(gè)時(shí)候不用再通過慢吞吞的前端總線了,CPU直接從內(nèi)存控制器讀取數(shù)據(jù)就行了,因?yàn)閮?nèi)存控制器在CPU的門口羅,打個(gè)比方,一件東西在你門口的時(shí)候,大家就可以直接拿了,就是這個(gè)原理,算了一下,集成內(nèi)存控制器的CPU讀取12GB的數(shù)據(jù)是才用了1秒的時(shí)間,所以大大節(jié)省了運(yùn)算時(shí)間,也充分發(fā)揮了CPU的性能。
最后總結(jié)一下:CPU沒有內(nèi)存控制器時(shí):數(shù)據(jù)以內(nèi)存控制器---北橋----CPU的方式傳輸有內(nèi)存控制器時(shí):數(shù)據(jù)以內(nèi)存控制器------CPU的方式傳輸,一步到位。[1]
2工作原理編輯
CPU內(nèi)部整合內(nèi)存控制器的優(yōu)點(diǎn),就是可以有效控制內(nèi)存控制器工作在與CPU核心同樣的頻率上,而且由于內(nèi)存與CPU之間的數(shù)據(jù)交換無需經(jīng)過北橋,可以有效降低傳輸延遲。打個(gè)比方,這就如同將貨物倉庫直接搬到了加工車間旁邊,大大減少原材料和制成品在貨物倉庫與加工車間之間往返運(yùn)輸所需要的時(shí)間,極大地提高了生產(chǎn)效率。這樣一來系統(tǒng)的整體性能也得到了提升。[2]
內(nèi)存頻率
和CPU一樣,內(nèi)存也有自己的工作頻率,頻率以MHz為單位內(nèi)存主頻越高在一定程度上代表著內(nèi)存所能達(dá)到的速度越快。內(nèi)存主頻決定著該內(nèi)存最高能在什么樣的頻率正常工作。最為主流的內(nèi)存頻率為DDR2-800和DDR3-1333,作為DDR2的替代者,DDR3內(nèi)存的頻率已經(jīng)在向3000MHz進(jìn)發(fā)。
內(nèi)存容量
內(nèi)存的容量不但是影響內(nèi)存價(jià)格的因素,同時(shí)也是影響到整機(jī)系統(tǒng)性能的因素。過去Windows XP平臺(tái),512M的內(nèi)存還是主流,1GB已經(jīng)是大容量;64位系統(tǒng)開始普及,Windows Vista、Windows 7越來越多人使用,沒有2GB左右的內(nèi)存都不一定能保證操作的流暢度。單根內(nèi)存的容量主要有1GB、2GB、4GB,最高已經(jīng)達(dá)到單根8GB。
工作電壓
內(nèi)存正常工作所需要的電壓值,不同類型的內(nèi)存電壓也不同,但各自均有自己的規(guī)格,超出其規(guī)格,容易造成內(nèi)存損壞。DDR2內(nèi)存的工作電壓一般在1.8V左右,而DDR3內(nèi)存則在1.6V左右。有的高頻內(nèi)存需要工作在高于標(biāo)準(zhǔn)的電壓值下,具體到每種品牌、每種型號(hào)的內(nèi)存,則要看廠家了。只要在允許的范圍內(nèi)浮動(dòng),略微提高內(nèi)存電壓,有利于內(nèi)存超頻,但是同時(shí)發(fā)熱量大大增加,因此有損壞硬件的風(fēng)險(xiǎn)。
時(shí)序參數(shù)
tCL : CAS Latency Control(tCL)
一般我們?cè)诓殚唭?nèi)存的時(shí)序參數(shù)時(shí),如“8-8-8-24”這一類的數(shù)字序列,上述數(shù)字序列分別對(duì)應(yīng)的參數(shù)是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。這個(gè)第一個(gè)“8”就是第1個(gè)參數(shù),即CL參數(shù)。
CAS Latency Control(也被描述為tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay),CAS latency是“內(nèi)存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時(shí)間”。CAS控制從接受一個(gè)指令到執(zhí)行指令之間的時(shí)間。因?yàn)?/span>CAS主要控制十六進(jìn)制的地址,或者說是內(nèi)存矩陣中的列地址,所以它是最為重要的參數(shù),在穩(wěn)定的前提下應(yīng)該盡可能設(shè)低。
內(nèi)存是根據(jù)行和列尋址的,當(dāng)請(qǐng)求觸發(fā)后,最初是tRAS(Activeto Precharge Delay),預(yù)充電后,內(nèi)存才真正開始初始化RAS。一旦tRAS激活后,RAS(Row Address Strobe )開始進(jìn)行需要數(shù)據(jù)的尋址。首先是行地址,然后初始化tRCD,周期結(jié)束,接著通過CAS訪問所需數(shù)據(jù)的精確十六進(jìn)制地址。期間從CAS開始到CAS結(jié)束就是CAS延遲。所以CAS是找到數(shù)據(jù)的最后一個(gè)步驟,也是內(nèi)存參數(shù)中最重要的。
這個(gè)參數(shù)控制內(nèi)存接收到一條數(shù)據(jù)讀取指令后要等待多少個(gè)時(shí)鐘周期才實(shí)際執(zhí)行該指令。同時(shí)該參數(shù)也決定了在一次內(nèi)存突發(fā)傳送過程中完成第一部分傳送所需要的時(shí)鐘周期數(shù)。這個(gè)參數(shù)越小,則內(nèi)存的速度越快。必須注意部分內(nèi)存不能運(yùn)行在較低的延遲,可能會(huì)丟失數(shù)據(jù)。而且提高延遲能使內(nèi)存運(yùn)行在更高的頻率,所以需要對(duì)內(nèi)存超頻時(shí),應(yīng)該試著提高CAS延遲。
該參數(shù)對(duì)內(nèi)存性能的影響最大,在保證系統(tǒng)穩(wěn)定性的前提下,CAS值越低,則會(huì)導(dǎo)致更快的內(nèi)存讀寫操作。
tRCD : RAS to CAS Delay
該值就是“8-8-8-24”內(nèi)存時(shí)序參數(shù)中的第2個(gè)參數(shù),即第2個(gè)“8”。RAS to CAS Delay(也被描述為:tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD),表示"行尋址到列尋址延遲時(shí)間",數(shù)值越小,性能越好。對(duì)內(nèi)存進(jìn)行讀、寫或刷新操作時(shí),需要在這兩種脈沖信號(hào)之間插入延遲時(shí)鐘周期。在JEDEC規(guī)范中,它是排在第二的參數(shù),降低此延時(shí),可以提高系統(tǒng)性能。如果你的內(nèi)存的超頻性能不佳,則可將此值設(shè)為內(nèi)存的默認(rèn)值或嘗試提高tRCD值。
tRP : Row Precharge Timing(tRP)
該值就是“8-8-8-24”內(nèi)存時(shí)序參數(shù)中的第3個(gè)參數(shù),即第3個(gè)“8”。Row Precharge Timing (也被描述為:tRP、RAS Precharge、Precharge to active),表示"內(nèi)存行地址控制器預(yù)充電時(shí)間",預(yù)充電參數(shù)越小則內(nèi)存讀寫速度就越快。tRP用來設(shè)定在另一行能被激活之前,RAS需要的充電時(shí)間。
tRAS : Min RAS Active Timing
該值就是該值就是“8-8-8-24”內(nèi)存時(shí)序參數(shù)中的最后一個(gè)參數(shù),即“24”。Min RAS Active Time (也被描述為:tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time),表示“內(nèi)存行有效至預(yù)充電的最短周期”,調(diào)整這個(gè)參數(shù)需要結(jié)合具體情況而定,一般我們最好設(shè)在24~30之間。這個(gè)參數(shù)要根據(jù)實(shí)際情況而定,并不是說越大或越小就越好。
如果tRAS的周期太長,系統(tǒng)會(huì)因?yàn)闊o謂的等待而降低性能。降低tRAS周期,則會(huì)導(dǎo)致已被激活的行地址會(huì)更早的進(jìn)入非激活狀態(tài)。如果tRAS的周期太短,則可能因缺乏足夠的時(shí)間而無法完成數(shù)據(jù)的突發(fā)傳輸,這樣會(huì)引發(fā)丟失數(shù)據(jù)或損壞數(shù)據(jù)。該值一般設(shè)定為CAS latency + tRCD + 2個(gè)時(shí)鐘周期。
對(duì)于大多數(shù)人來說,內(nèi)存這個(gè)小硬件選好容量和頻率,然后插上主板用上就行了,對(duì)它的很多小參數(shù)完全不在意。所以,行業(yè)廠商也會(huì)提供比較傻瓜式的讀取內(nèi)存SPD芯片的參數(shù)信息,自動(dòng)設(shè)置各項(xiàng)小參,簡單好用;更有簡單的超頻設(shè)置——XMP技術(shù),讓普通用戶也能簡單地享受超頻增值的樂趣。當(dāng)然,真正的玩家在超頻時(shí)為了達(dá)到最理想的效果,還是更傾向于手動(dòng)設(shè)置各項(xiàng)小參。希望通過這篇文章,大家能對(duì)內(nèi)存的各項(xiàng)參數(shù)有更深的理解,并在使用上有一定的幫助。
HT-IV地下電纜故障檢測(cè)儀
產(chǎn)品概述
功能描述:- 地下電纜探測(cè)檢漏儀是應(yīng)用于檢測(cè)600V以下電纜及通訊電纜的走向、深度、故障點(diǎn)及絕緣層漏蝕點(diǎn)的專用設(shè)備。能在不開挖浮土的情況下查出地下電纜走向、深度、斷路、短路及絕緣層漏蝕損傷、故障點(diǎn)的精確位置,使整個(gè)線路地表面不屢遭開膛破肚之苦,是通訊、電力、廠礦、水電等部門為地下電纜的施工質(zhì)量和故障點(diǎn)維修的一種精確、的探測(cè)儀器。
技術(shù)指標(biāo)
適用范圍:-檢測(cè)埋土深度在5m以內(nèi)的地下電纜
發(fā)射功率:->24W可調(diào)
發(fā)射頻率:-512HZ±10HZ
發(fā)射距離:-2m-10km
檢漏阻抗:-10-1MΩ
工作電源:-DC12v±5% AC220V±10%
位置偏差:-<10cm
準(zhǔn) 確 率:->98%
SIVACON-多用途的低壓開關(guān)柜 |
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SIVACON 8PT是由西門子公司設(shè)計(jì)的新型低壓配電裝置,它具有斷路器技術(shù),固定安裝式技術(shù),抽出式技術(shù)及插入式技術(shù)設(shè)計(jì)。白云電氣設(shè)備有限公司以其的生產(chǎn)設(shè)備,雄厚的技術(shù)基礎(chǔ)成為西門子公司SEVACON8PT技術(shù)合作伙伴,把的SIVACON低壓配電裝置技術(shù)推薦給您。
概 述 |
SIVACON低壓配電裝置具有用于建筑行業(yè)和工業(yè)技術(shù)領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)型結(jié)構(gòu)。SIVACON是根據(jù)世界市場(chǎng)需要而開發(fā)的低壓配電裝置,也就是說,它一方面考慮到標(biāo)準(zhǔn)型解決方案的各項(xiàng)要求,另一方面,它又兼顧到當(dāng)?shù)厣a(chǎn)以及由此給財(cái)務(wù)和生產(chǎn)運(yùn)行帶來的利益。SIVACON是向世界各地推廣的配電裝置,它可應(yīng)用在最大額定電流至7400A的各種容量等級(jí)的層面上,它既可采用固定安裝式設(shè)計(jì),也可采用抽出式設(shè)計(jì)。
產(chǎn)品特點(diǎn) |
通過型式試驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)模塊(TTA)標(biāo)準(zhǔn)化的母線位于柜體的頂部 3極或4極的主母線可至7400A額定峰值耐受電流Ipk可至375kA器件隔室較深,適用于各種安裝 器件隔室為模數(shù)化結(jié)構(gòu)裝置可采用單面或背靠背安裝電纜可從上部或下部進(jìn)入柜內(nèi)電纜的連接可在正面或后面進(jìn)行
技術(shù)參數(shù) |
額定工作電壓:690V額定絕緣電壓:1000V 水平母線額定電流:7400A額定短時(shí)受耐電流:150kA額定峰值耐受電流:375kA