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DBC-352晶閘管少子壽命測(cè)試儀/可控硅控制器

晶閘管少子壽命測(cè)試儀主要技術(shù)參數(shù)：

少子壽命測(cè)量范圍：0.1-99us外形尺寸：440X×440×150mm整機(jī)重量：10kg

晶閘管少子壽命測(cè)試儀用于測(cè)試可控硅或PN結(jié)（二極管）的長(zhǎng)基區(qū)少子壽命。數(shù)字顯示測(cè)試結(jié)果，自動(dòng)測(cè)試。

DBC-051晶閘管測(cè)試儀/晶閘管少子壽命測(cè)試儀

晶閘管測(cè)試儀主要技術(shù)參數(shù)：

斷態(tài)峰值電壓VDM : 0-2000V；電壓臨界上升率dV/dt: 30-1000V/us外形尺寸：440×440×150mm整機(jī)重量：15kg

晶閘管測(cè)試儀用于測(cè)試普通可控硅、雙向可控硅、快速可控硅和可控硅模塊的斷態(tài)電壓臨界上升率dV/dt。數(shù)字顯示斷態(tài)峰值電壓VDM

DBC-013A晶閘管測(cè)試儀/晶閘管少子壽命測(cè)試儀

晶閘管測(cè)試儀主要技術(shù)參數(shù)：峰值電流測(cè)量范圍： 30-3000A峰值壓降測(cè)量范圍： 0-7V外形尺寸： 440×440×150mm 2箱整機(jī)重量： 35kg

晶閘管測(cè)試儀使用范圍：◇ 用于測(cè)試普通可控硅、雙向可控硅、快速可控硅、可控硅模塊的通態(tài)峰值電流ITM和峰值壓降VTM◇ 用于測(cè)試整流管的正向峰值電流 IFM和峰值壓降VFM。數(shù)字顯示測(cè)試結(jié)果，自動(dòng)測(cè)試。通態(tài)峰值電流值測(cè)試前可設(shè)定，并具有良好的測(cè)試重復(fù)性。

DBC-023B晶閘管伏安特性測(cè)試儀/晶閘管少子壽命測(cè)試儀

晶閘管伏安特性測(cè)試儀主要技術(shù)參數(shù)：

正向斷態(tài)和反向阻斷電壓測(cè)量范圍：0-6000V正向斷態(tài)和反向阻斷電流測(cè)量范圍： 0-199mA保護(hù)電流設(shè)定:0-199mA外形尺寸：440×440×150mm整機(jī)重量：15kg

晶閘管伏安特性測(cè)試儀用于測(cè)試普通可控硅、快速可控硅、雙向可控硅、可控硅模塊、整流管參數(shù)；數(shù)字顯示測(cè)試結(jié)果。對(duì)被測(cè)器件具有保護(hù)功能。注：保護(hù)電流值大小根據(jù)需要自行設(shè)定。

DBC-023A晶閘管伏安特性測(cè)試儀/晶閘管少子壽命測(cè)試儀

晶閘管伏安特性測(cè)試儀主要技術(shù)參數(shù)：

正向斷態(tài)和反向阻斷電壓測(cè)量范圍：0-3000V正向斷態(tài)和反向阻斷電流測(cè)量范圍：0-99mA 保護(hù)電流設(shè)定:0-99mA 外形尺寸：440×440×150mm整機(jī)重量：15kg

晶閘管伏安特性測(cè)試儀用于測(cè)試普通可控硅、快速可控硅、雙向可控硅、可控硅模塊、整流管參數(shù)，數(shù)字顯示測(cè)試結(jié)果。對(duì)被測(cè)器件具有保護(hù)功能。注：保護(hù)電流值大小根據(jù)需要自行設(shè)定。

DBC-031晶閘管測(cè)試儀/晶閘管少子壽命測(cè)試儀

晶閘管測(cè)試儀主要技術(shù)參數(shù)：

測(cè)量范圍：觸發(fā)電流1-450mA；觸發(fā)電壓0-7V；維持電流1-450mA。外形尺寸：440×440×150mm整機(jī)重量：10kg

晶閘管測(cè)試儀用于測(cè)試普通可控硅、雙向可控硅、快速可控硅和可控硅模塊的參數(shù)。

北京SN/LT-2單晶少子壽命測(cè)試儀操作方法

單晶少子壽命測(cè)試儀非平衡少數(shù)載流子壽命測(cè)定儀

型號(hào)：SN/LT-2

北京SN/LT-2單晶少子壽命測(cè)試儀操作方法是參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的用于測(cè)量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導(dǎo)體材料的少數(shù)載流子壽命測(cè)量，是半導(dǎo)體的常規(guī)測(cè)試項(xiàng)目之一。本儀器靈敏度較高，配備有紅外光源，可測(cè)量包括集成電路級(jí)硅單晶在內(nèi)的各種類型硅單晶，以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測(cè)量等。

北京SN/LT-2單晶少子壽命測(cè)試儀操作方法本儀器根據(jù)國(guó)際通用方法高頻光電導(dǎo)衰退法的原理設(shè)計(jì)，由穩(wěn)壓電源、高頻源、檢波放大器，特制的InGaAsp／InP紅外光源及樣品臺(tái)共五部份組成。采用印刷電路和高頻接插連接。整機(jī)結(jié)構(gòu)緊湊、測(cè)量數(shù)據(jù)可靠。

北京SN/LT-2單晶少子壽命測(cè)試儀操作方法技　術(shù)　指　標(biāo)：

測(cè)試單晶電阻率范圍	>2Ω.cm
可測(cè)單晶少子壽命范圍	5μS～7000μS
配備光源類型	波長(zhǎng)：1.09μm；余輝<1 μS；閃光頻率為：20～30次／秒；閃光頻率為：20～30次／秒；
高頻振蕩源	用石英諧振器，振蕩頻率：30MHz
前置放大器	放大倍數(shù)約25，頻寬2 Hz-1 MHz
儀器測(cè)量重復(fù)誤差	<±20％
測(cè)量方式	采用對(duì)標(biāo)準(zhǔn)曲線讀數(shù)方式
儀器消耗功率	<25W
儀器工作條件	溫度： 10-35℃、濕度 < 80％、使用電源：AC 220V，50Hz
可測(cè)單晶尺寸	斷面豎測(cè)：φ25mm—150mm； L 2mm—500mm；縱向臥測(cè)：φ25mm—150mm； L 50mm—800mm；
配用示波器	頻寬0—20MHz；電壓靈敏：10mV／cm；

該公司產(chǎn)品分類：測(cè)距儀、測(cè)速儀硬度計(jì) 流量計(jì) 其他行業(yè)專用儀器儀表軸承測(cè)試儀、軸承加熱器汽車行業(yè)檢測(cè)儀位移傳感器/位移測(cè)量?jī)x 水文儀器轉(zhuǎn)速測(cè)量?jī)x/轉(zhuǎn)速儀/轉(zhuǎn)速表振動(dòng)分析儀/測(cè)振儀激光測(cè)試儀器設(shè)備/機(jī)械故障檢測(cè)儀前照燈檢測(cè)儀行業(yè)專用儀器儀表其他物理學(xué)儀器反射率儀白度計(jì)/白度儀比色計(jì)/比色儀/色度儀測(cè)色儀/色差計(jì) 冰點(diǎn)儀/比重計(jì)

北京SN/LT-3單晶少子壽命測(cè)試儀說(shuō)明書下載

單晶少子壽命測(cè)試儀非平衡少數(shù)載流子壽命測(cè)試儀

型號(hào)：SN/LT-3

*.北京SN/LT-3單晶少子壽命測(cè)試儀說(shuō)明書下載該儀器參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的用于測(cè)量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命；*.測(cè)試單晶電阻率范圍： >0.3Ω.cm；*.可測(cè)單晶少子壽命范圍： 1μS-10000μS；*.配備光源類型：紅外光源，波長(zhǎng)：1.09μm；余輝<1 μS；閃光頻率為：20-30次／秒；*.前置放大器：放大倍數(shù)約25；*.測(cè)量方式：采用對(duì)標(biāo)準(zhǔn)曲線讀數(shù)方式；北京SN/LT-3單晶少子壽命測(cè)試儀說(shuō)明書下載

*.該儀器參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的用于測(cè)量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命；*.測(cè)試單晶電阻率范圍： >0.3Ω.cm；*.可測(cè)單晶少子壽命范圍： 1μS-10000μS；*.配備光源類型：紅外光源，波長(zhǎng)：1.09μm；余輝<1 μS；閃光頻率為：20-30次／秒；*.前置放大器：放大倍數(shù)約25；*.測(cè)量方式：采用對(duì)標(biāo)準(zhǔn)曲線讀數(shù)方式；

DLY-2型 DSY－II型 FJDY－I導(dǎo)電類鑒別儀單晶少子壽命測(cè)試儀非接觸硅片電阻率測(cè)試儀

DLY-2型導(dǎo)電類鑒別儀 DSY－II型單晶少子壽命測(cè)試儀 FJDY－I FJDY-I非接觸硅片電阻率測(cè)試儀DLY2型導(dǎo)電類型測(cè)試儀本儀器采用溫差電法(也稱冷熱探筆法)和整流法來(lái)判斷單晶硅的導(dǎo)電類型的新一代專用測(cè)試儀器.特別采用了平面輕觸式開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì);可隨機(jī)調(diào)零;各種工作狀態(tài)LED指示;自動(dòng)加熱,恒溫;以及大型LED數(shù)碼管直接顯示單晶(或多晶)的導(dǎo)電類型(N型或P型).具有體積小、重量輕、性能穩(wěn)定、測(cè)試簡(jiǎn)便、等優(yōu)點(diǎn)。DLY2導(dǎo)電類型測(cè)試儀本儀器符合硅單晶物理測(cè)試國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)及美國(guó)A.S.T.M.標(biāo)準(zhǔn)中有關(guān)要求�？蓾M足大專院校，科研及生產(chǎn)單位對(duì)硅材料棒的縱向、截面及片子的導(dǎo)電類型判斷的需要。DLY－2導(dǎo)電類型測(cè)試儀技術(shù)指標(biāo)1、可判斷硅材料的電阻率范圍：溫差電法：0.0001－104Ω.cm; 整流法: 0.01-104Ω.cm2、硅單晶直徑及長(zhǎng)度：不受限制；3、顯示方式：用大型LED數(shù)碼管分別直接顯示；4、探頭：溫差電法：采用冷熱兩根探筆，熱筆為鎢棒，冷筆為高速鋼棒或鎢棒；整流法：采用三根探針，用鎢針或高速鋼針；5、電源及功耗：AC 220V±10%; 50Hz;功率〈30W;6、外形尺寸：主機(jī) 360X 365 X125mm；7、使用環(huán)境：溫度：室溫；相對(duì)濕度≤80％；無(wú)高頻干擾；無(wú)強(qiáng)光照射。訂購(gòu)指南編號(hào) 品名單價(jià)(元/套) 142098 DLY－2型導(dǎo)電類型測(cè)試儀 8977.00 142100 DSY-Д型單晶少子壽命測(cè)試儀(高頻光電導(dǎo)法;配示波器) 36800.00 142102 FJDY-1型非接觸硅片電阻率測(cè)試儀 34500.00

JC03-LT-3單晶少子壽命測(cè)試儀，硅單晶非平衡少數(shù)載流子壽命測(cè)量?jī)x

單晶少子壽命測(cè)試儀硅單晶非平衡少數(shù)載流子壽命測(cè)量?jī)x

型號(hào)JC03-LT-3

特點(diǎn):

該儀器參考美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的用于測(cè)量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命；

測(cè)試單晶電阻率范圍：>0.3Ω.cm；

可測(cè)單晶少子壽命范圍：1μS-10000μS；

配備光源類型：紅外光源，波長(zhǎng)：1.09μm；

余輝<1μS；閃光頻率為：20-30次／秒；

前置放大器：放大倍數(shù)約25；

測(cè)量方式：采用對(duì)標(biāo)準(zhǔn)曲線讀數(shù)方式；

該公司產(chǎn)品分類：教學(xué)儀器照度光譜系列邏輯棒/筆測(cè)氡儀氧氣檢測(cè)儀氫氣檢測(cè)報(bào)警儀氣體檢測(cè)報(bào)警儀熏蒸氣體檢測(cè)儀空氣質(zhì)量檢測(cè)儀垃圾場(chǎng)氣體檢測(cè) 酒精測(cè)試儀有毒氣體檢測(cè)儀甲烷檢測(cè)儀可燃?xì)怏w檢測(cè)儀/探測(cè)儀復(fù)合氣體檢測(cè)儀苯檢測(cè)儀揮發(fā)性有機(jī)氣體臭氧檢測(cè)分析儀甲醛檢測(cè)/分析氧氣檢測(cè)報(bào)警儀