其他產(chǎn)品及廠(chǎng)家
mipi眼圖 數(shù)據(jù) clk眼圖 data眼圖測(cè)試與分析 解決mipi屏黑屏問(wèn)題 mipi調(diào)試過(guò)程mx27提供了個(gè)非常業(yè)的攝像頭csi接口，可以配置相關(guān)的口進(jìn)行接口匹配。
更新時(shí)間:2025-05-15
泰克tektronix 以太網(wǎng)一致性測(cè)試夾具 泰克tektronix 以太網(wǎng)一致性測(cè)試夾具，硬件測(cè)試，ddr測(cè)試，時(shí)序測(cè)試，紋波測(cè)試，抖動(dòng)測(cè)試
更新時(shí)間:2025-05-15
遇到的問(wèn)題pcie link不穩(wěn)定配置空間讀寫(xiě)正常，memory mapping空間讀寫(xiě)異常
更新時(shí)間:2025-05-15
梅特勒電極ha405-dpa-sc-s8/120（有問(wèn)題，產(chǎn)品上留有碎渣） 硬件開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室 開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室 儀器租賃
更新時(shí)間:2025-05-15
cie2.0 3.0 物理層致性測(cè)試pcie總線(xiàn)與pci總線(xiàn)不同，pcie總線(xiàn)使用端到端的連接方式，在條pcie鏈路的兩端只能各連接個(gè)設(shè)備，這兩個(gè)設(shè)備互為是數(shù)據(jù)發(fā)送端和數(shù)據(jù)接收端。pcie鏈路可以由多條lane組成，目pcie鏈路×1、×2、×4、×8、×16和×32寬度的pcie鏈路，還有幾乎不使用的×12鏈路。
更新時(shí)間:2025-05-15
pcie總線(xiàn)的層次組成結(jié)構(gòu)與網(wǎng)絡(luò)中的層次結(jié)構(gòu)有類(lèi)似之處，但是pcie總線(xiàn)的各個(gè)層次都是使用硬件邏輯實(shí)現(xiàn)的。在pcie體系結(jié)構(gòu)中，數(shù)據(jù)報(bào)文先在設(shè)備的核心層(device core)中產(chǎn)生，然后再經(jīng)過(guò)該設(shè)備的事務(wù)層(transactionlayer)、數(shù)據(jù)鏈路層(data link layer)和物理層(physical layer)，終發(fā)送出去。
更新時(shí)間:2025-05-15
pcie2.0 3.0 rx 接收 物理層致性測(cè)試當(dāng)pcie設(shè)備進(jìn)入休眠狀態(tài)，主電源已經(jīng)停止供電時(shí)，pcie設(shè)備使用該信號(hào)向處理器系統(tǒng)提交喚醒請(qǐng)求，使處理器系統(tǒng)重新為該pcie設(shè)備提供主電源vcc。
更新時(shí)間:2025-05-15
pcie 初始化完成后會(huì)進(jìn)入l0狀態(tài)。異常狀態(tài)見(jiàn)pcie link 異常log。物理層link 不穩(wěn)定，懷疑以下原因：- 高速串行信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題- serdes電源問(wèn)題- 時(shí)鐘問(wèn)題
更新時(shí)間:2025-05-15
pcie2.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試集成電路的發(fā)明是人類(lèi)歷史上的大創(chuàng)舉，它大地推動(dòng)了人類(lèi)的現(xiàn)代文明進(jìn)程，在天無(wú)時(shí)無(wú)刻不在影響著我們的生活。進(jìn)入 21 世紀(jì)以來(lái)，集成電路的發(fā)展則更是狂飆猛進(jìn)。天的大規(guī)模集成電路生產(chǎn)和制造工藝已經(jīng)達(dá)到 10 nm 量產(chǎn)水平，更高的集成度意味著同等體積下提供了更高的性能，當(dāng)然對(duì)業(yè)內(nèi)從業(yè)者來(lái)說(shuō)遇到的挑戰(zhàn)和問(wèn)題也就越來(lái)越嚴(yán)峻。
更新時(shí)間:2025-05-15
pcie2.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試在個(gè)處理器系統(tǒng)中，般提供×16的pcie插槽，并使用petp0~15、petn0~15和perp0~15、pern0~15共64根信號(hào)線(xiàn)組成32對(duì)差分信號(hào)，其中16對(duì)petxx信號(hào)用于發(fā)送鏈路，另外16對(duì)perxx信號(hào)用于接收鏈路。除此之外pcie總線(xiàn)還使用了下列輔助信號(hào)。
更新時(shí)間:2025-05-15
pcie1.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試日益降低的信號(hào)幅度必將帶來(lái)信噪比(snr)的挑戰(zhàn)，也即隨著信號(hào)幅度越來(lái)越低，對(duì)整個(gè) 電路系統(tǒng)的噪聲要求也越來(lái)越嚴(yán)格。尤其是在近 3 年來(lái)越來(lái)越熱的pam 調(diào)制，比如廣泛用于 200g/400g 傳輸?shù)?pam-4 技術(shù)，由于采用 4 電平調(diào)制，其對(duì)信噪比的要求比采用nrz 編碼的信噪比要高 9db.
更新時(shí)間:2025-05-15
pcie1.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試ci總線(xiàn)定義了兩類(lèi)配置請(qǐng)求，個(gè)是type00h配置請(qǐng)求，另個(gè)是type 01h配置請(qǐng)求。
更新時(shí)間:2025-05-15
pcie1.0x16 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試電子產(chǎn)品發(fā)展到當(dāng)?shù)臅r(shí)代，工程界已經(jīng)積累了很多實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，再搭上互聯(lián)網(wǎng)大力 發(fā)展的快車(chē)，每位工程師都可以很輕松地從其他人的工程經(jīng)驗(yàn)分享中獲得很多有價(jià)值和 有助于自己設(shè)計(jì)的經(jīng)驗(yàn)，但是經(jīng)驗(yàn)并不是金科玉律，也不是都適合工程師特殊的設(shè)計(jì)需求。
更新時(shí)間:2025-05-15
pcie3.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試下面是個(gè) ddr3 設(shè)計(jì)的實(shí)際案例。按照傳統(tǒng)的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)，工程師會(huì)按照主芯片給的設(shè)計(jì)規(guī)范進(jìn)行設(shè)計(jì)。結(jié)合項(xiàng)目工程的需要，其 ddr3 的采用的是 t 型的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)， ecc 放置在如下圖 5 圓圈中所示位置。在生產(chǎn)完成后的調(diào)試過(guò)程中，發(fā)現(xiàn) ddr3 的信號(hào)出現(xiàn)非單調(diào)性。
更新時(shí)間:2025-05-15
pcie3.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試deviceid和vendor id寄存器這兩個(gè)寄存器的值由pcisig分配，只讀。其中vendor id代表pci設(shè)備的生產(chǎn)廠(chǎng)商，而device id代表這個(gè)廠(chǎng)商所生產(chǎn)的具體設(shè)備。如xilinx公司的k7，其vendor id為0x10ee，而device id為0x7028。
更新時(shí)間:2025-05-15
pcie3.0x16 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試獲得的信號(hào)波形沒(méi)有出現(xiàn)非單調(diào)的情況。按照以上設(shè)計(jì)改板后的測(cè)試結(jié)果與仿真 致。 如果不進(jìn)行仿真，那么只能在產(chǎn)品設(shè)計(jì)完成之后進(jìn)行測(cè)試才能發(fā)現(xiàn)問(wèn)題，如果要改善， 只能再改板調(diào)整，還可能出現(xiàn)改板很多次的情況，這樣就會(huì)延遲產(chǎn)品上市時(shí)間并增加物料成本。
更新時(shí)間:2025-05-15
emmc 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試emmc 芯片下方在敷銅時(shí)，焊盤(pán)部分要增加敷銅禁布框，避免銅皮分布不均影響散熱，導(dǎo)致貼片虛焊。
更新時(shí)間:2025-05-15
emmc 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試電源紋波測(cè)試過(guò)大的問(wèn)題通常和使用的探頭以及端的連接方式有關(guān)。先檢查了用戶(hù)探頭的連接方式，發(fā)現(xiàn)其使用的是如下面左圖所示的長(zhǎng)的鱷魚(yú)夾地線(xiàn)，而且接地點(diǎn)夾在了單板的固定螺釘上，整個(gè)地環(huán)路比較大。由于大的地環(huán)路會(huì)引入更多的開(kāi)關(guān)電源造成的空間電磁輻射噪聲以及地環(huán)路噪聲，于是更換成如下面右圖所示的短的接地彈簧針。
更新時(shí)間:2025-05-15
emmc 控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過(guò)沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試
更新時(shí)間:2025-05-15
emmc 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試這是個(gè)典型的電源紋波測(cè)試的問(wèn)題。我們通過(guò)使用短的地線(xiàn)連接、換用低衰減比的探頭以及帶寬限制功能使得紋波噪聲的測(cè)試結(jié)果大大改善。
更新時(shí)間:2025-05-15
emmc4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試實(shí)際上就是把電纜的頭接在示波器上，示波器設(shè)置為50歐姆輸入阻抗；電纜的另頭剝開(kāi)，屏蔽層焊接在被測(cè)電路地上，中心導(dǎo)體通過(guò)個(gè)隔直電容連接被測(cè)的電源信號(hào)。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是低成本，低衰減比，缺點(diǎn)是致性不好，隔直電容參數(shù)及帶寬不好控制。
更新時(shí)間:2025-05-15
相關(guān)產(chǎn)品：emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試通俗的來(lái)說(shuō)，emmc=nand閃存+閃存控制芯片+標(biāo)準(zhǔn)接口封裝。
更新時(shí)間:2025-05-15
emmc4 , 復(fù)位測(cè)試 , clk測(cè)試 , dqs測(cè)試emmc則在其內(nèi)部集成了 flash controller，包括了協(xié)議、擦寫(xiě)均衡、壞塊管理、ecc校驗(yàn)、電源管理、時(shí)鐘管理、數(shù)據(jù)存取等功能。
更新時(shí)間:2025-05-15
emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試包括card interface（cmd，data，clk）、memory core interface、總線(xiàn)接口控制（card interface controller）、電源控制、寄存器組。
更新時(shí)間:2025-05-15
emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試mmc通過(guò)發(fā)cmd的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)卡的初始化和數(shù)據(jù)訪(fǎng)問(wèn)。device identification mode包括3個(gè)階段idle state、ready state、identification state。
更新時(shí)間:2025-05-15
emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc5 復(fù)位測(cè)試identification state，發(fā)送完 cid 后，emmc device就會(huì)進(jìn)入該階段。
更新時(shí)間:2025-05-15
相關(guān)產(chǎn)品：電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 , emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試
更新時(shí)間:2025-05-15
相關(guān)產(chǎn)品：clk測(cè)試 , dqs測(cè)試 , emmc4 , 上電時(shí)序測(cè)試data strobe 時(shí)鐘信號(hào)由 emmc 發(fā)送給 host，頻率與 clk 信號(hào)相同，用于 host 端進(jìn)行數(shù)據(jù)接收的同步。data strobe 信號(hào)只能在 hs400 模式下配置啟用，啟用后可以提高數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆(wěn)定性，省去總線(xiàn) tuning 過(guò)程。
更新時(shí)間:2025-05-15
相關(guān)產(chǎn)品：clk測(cè)試 , dqs測(cè)試 , emmc4 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試
更新時(shí)間:2025-05-15
電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試
更新時(shí)間:2025-05-15
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc5 上電時(shí)序測(cè)試start bit 與 command 樣，固定為 "0"，在沒(méi)有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下，cmd 信號(hào)保持高電平，當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線(xiàn)上時(shí)，host 可以很方便檢測(cè)到該信號(hào)，并開(kāi)始接收 response。
更新時(shí)間:2025-05-15
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc5 上電時(shí)序測(cè)試start bit 與 command 樣，固定為 "0"，在沒(méi)有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下，cmd 信號(hào)保持高電平，當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線(xiàn)上時(shí)，host 可以很方便檢測(cè)到該信號(hào)，并開(kāi)始接收 response。
更新時(shí)間:2025-05-15
clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc4 上電時(shí)序測(cè)試，眼圖測(cè)試crc 為 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值，不包含 start bit。各個(gè) data line 上的 crc 為對(duì)應(yīng) data line 的 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值。
更新時(shí)間:2025-05-15
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試在 ddr 模式下，data line 在時(shí)鐘的上升沿和下降沿都會(huì)傳輸數(shù)據(jù)，其中上升沿傳輸數(shù)據(jù)的奇數(shù)字節(jié) （byte 1,3,5...），下降沿則傳輸數(shù)據(jù)的偶數(shù)字節(jié)（byte 2,4,6 ...）。
更新時(shí)間:2025-05-15
復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc4 上電時(shí)序測(cè)試當(dāng) emmc device 處于 sdr 模式時(shí)，host 可以發(fā)送 cmd19 命令，觸發(fā)總線(xiàn)測(cè)試過(guò)程（bus testing procedure），測(cè)試總線(xiàn)硬件上的連通性。
更新時(shí)間:2025-05-15
gq-hw2a電弧紅外碳硫分析儀： 主要技術(shù)指標(biāo)：*測(cè)量范圍：碳（c）0.001%~10.000%(可擴(kuò)至99.999%) 硫（s）0.0005%~0.5000%(可擴(kuò)至99.999%) *分析時(shí)間：25~60s可調(diào)，一般35s*分析誤差：碳優(yōu)于gb/223.69-1997標(biāo)準(zhǔn) 硫優(yōu)于gb/t223.68-1997標(biāo)準(zhǔn) *燃燒功率：小于2.5kva； *工作原理：電弧燃燒，紅外檢測(cè)
更新時(shí)間:2025-05-14
阿爾門(mén)測(cè)量?jī)x的概述噴丸是利用金屬丸,玻璃丸,陶瓷丸來(lái)達(dá)到工件表面強(qiáng)化的工藝。實(shí)質(zhì)上,它在表畫(huà)形成殘余壓應(yīng)力,從而提高了抗壓力腐蝕和和抗擊循環(huán)疲勞的能力。特定零件表面修整所需的介質(zhì)的成分,尺寸,強(qiáng)度和覆蓋率都在發(fā)動(dòng)機(jī)/車(chē)間手冊(cè)中有具體規(guī)定
更新時(shí)間:2025-05-14
xf802-y320數(shù)字雜音計(jì)，主要用于程控交換機(jī)電源，電話(huà)加權(quán)雜音電壓的測(cè)量。本儀表符合*電信聯(lián)合會(huì)（itu）建議的電話(huà)加權(quán)網(wǎng)絡(luò)雜音測(cè)試要求，并以*的數(shù)字信號(hào)處理方式來(lái)測(cè)量雜音
更新時(shí)間:2025-05-14
藏 青色冷庫(kù)防寒背帶褲，聚酰胺滌綸/棉制面料，折縫式接縫，內(nèi)部襯里為內(nèi)部為dupont填充物，內(nèi)部垂直絎縫間距12到15厘米，從服裝外部看不見(jiàn)接縫， 和服裝同長(zhǎng)的雙拉鏈頭拉鏈
更新時(shí)間:2025-05-14
jc506-bm-2型斑馬法檢測(cè)儀是依據(jù)中華人民共和國(guó)標(biāo)準(zhǔn)gb11614-1999的技術(shù)要求而設(shè)計(jì)制造，用于檢測(cè)浮法玻璃的光學(xué)變形角(斑馬角)的測(cè)試儀器
更新時(shí)間:2025-05-14
工作環(huán)境應(yīng)清潔，光線(xiàn)較暗，無(wú)陽(yáng)光直射，工作時(shí)室內(nèi)環(huán)境應(yīng)不隨外界環(huán)境變化變化，無(wú)灰塵，無(wú)烈振動(dòng)。
更新時(shí)間:2025-05-14
品牌:ohaus.cav64c(外校)價(jià)格:8800元.最大量程:65g到260g.可讀性:0.0001g.自動(dòng)內(nèi)部/外部校正,標(biāo)配rs232接口,性能出眾,應(yīng)用豐富.
更新時(shí)間:2025-05-14
品牌:ohaus.dv114價(jià)格:21500元.最大量程:81g到310g.可讀性:0.00001g到0.0001g.溫度觸發(fā)全自動(dòng)內(nèi)校,標(biāo)配rs232接口,專(zhuān)業(yè)稱(chēng)量,完美演繹.
更新時(shí)間:2025-05-14
品牌:ohausep64c價(jià)格:14900元.最大量程:62g到210g.可讀性:0.0001g.溫度觸發(fā)全自動(dòng)內(nèi)校,標(biāo)配rs232接口,性能優(yōu)異,追求卓越.
更新時(shí)間:2025-05-14
品牌:ohausar224cn價(jià)格:8800元.最大量程:65g到220g.可讀性:0.0001g.自動(dòng)外校,標(biāo)配rs232接口,經(jīng)典系列,全新呈現(xiàn).
更新時(shí)間:2025-05-14
品牌:ohauscp64價(jià)格:6500元.最大量程:65g到220g.可讀性:0.0001g.自動(dòng)內(nèi)部/外部校正,標(biāo)配rs232接口,全新設(shè)計(jì),優(yōu)異性?xún)r(jià)比.
更新時(shí)間:2025-05-14
品牌:ohausep213c價(jià)格:13900元.最大量程:210g到8100g.可讀性:0.1g到0.001g.溫度觸發(fā)全自動(dòng)內(nèi)校,標(biāo)配rs232接口,性能優(yōu)異,追求卓越.
更新時(shí)間:2025-05-14
品牌:ohaus.cav212(外校)價(jià)格:4600元.最大量程:51g到8100g.可讀性:0.1g到0.001g.自動(dòng)內(nèi)部/外部校正,標(biāo)配rs232接口,性能出眾,應(yīng)用豐富.
更新時(shí)間:2025-05-14
品牌:ohauscp512價(jià)格:4300元.最大量程:151g到4200g.可讀性:0.01g到0.001g.自動(dòng)內(nèi)部/外部校正,標(biāo)配rs232接口,全新設(shè)計(jì),優(yōu)異性?xún)r(jià)比.
更新時(shí)間:2025-05-14
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